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Formula Conduttanza del canale dei MOSFET

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La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi. Controlla FAQs
G=μs⋅Cox⋅(WcL)⋅Vox
G - Conduttanza del canale?μs - Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale?Cox - Capacità dell'ossido?Wc - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?Vox - Tensione attraverso l'ossido?

Esempio di Conduttanza del canale dei MOSFET

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Conduttanza del canale dei MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Conduttanza del canale dei MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Conduttanza del canale dei MOSFET.

19.2888Edit=38Edit⋅940Edit⋅(10Edit100Edit)⋅5.4Edit
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Elettronica analogica » fx Conduttanza del canale dei MOSFET

Conduttanza del canale dei MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Conduttanza del canale dei MOSFET?

Primo passo Considera la formula
G=μs⋅Cox⋅(WcL)⋅Vox
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ G=38m²/V*s⋅940μF⋅(10μm100μm)⋅5.4V
Passo successivo Converti unità
∴ G=38m²/V*s⋅0.0009F⋅(1E-5m0.0001m)⋅5.4V
Passo successivo Preparati a valutare
∴ G=38⋅0.0009⋅(1E-50.0001)⋅5.4
Passo successivo Valutare
∴G=0.0192888S
Ultimo passo Converti nell'unità di output
∴G=19.2888mS

Conduttanza del canale dei MOSFET Formula Elementi

Variabili
Conduttanza del canale
La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi.
Simbolo: G
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Conduttanza del canaleOpen Variable
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale
La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.
Simbolo: μs
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Mobilità degli elettroni sulla superficie del canaleOpen Variable
Capacità dell'ossido
La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Capacità dell'ossidoOpen Variable
Larghezza del canale
La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Simbolo: Wc
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Larghezza del canaleOpen Variable
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Lunghezza del canaleOpen Variable
Tensione attraverso l'ossido
La tensione attraverso l'ossido dovuta alla carica all'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.
Simbolo: Vox
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Tensione attraverso l'ossidoOpen Variable

Altre formule nella categoria Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza

​va Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
Wc=CocCox⋅Lov
​va Capacità di sovrapposizione del MOSFET
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​va Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​va Frequenza di transizione del MOSFET
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

Come valutare Conduttanza del canale dei MOSFET?

Il valutatore Conduttanza del canale dei MOSFET utilizza Conductance of Channel = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido per valutare Conduttanza del canale, La conduttanza del canale dei MOSFET, definita come il rapporto tra la corrente ionica attraverso il canale e la tensione applicata, può essere calcolata una volta che la corrente, il numero di ioni che attraversano il canale per unità di tempo quando un campo elettrico esterno viene applicato al sistema . Conduttanza del canale è indicato dal simbolo G.

Come valutare Conduttanza del canale dei MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Conduttanza del canale dei MOSFET, inserisci Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μs), Capacità dell'ossido (Cox), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L) & Tensione attraverso l'ossido (Vox) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Conduttanza del canale dei MOSFET

Qual è la formula per trovare Conduttanza del canale dei MOSFET?
La formula di Conduttanza del canale dei MOSFET è espressa come Conductance of Channel = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido. Ecco un esempio: 19288.8 = 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4.
Come calcolare Conduttanza del canale dei MOSFET?
Con Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μs), Capacità dell'ossido (Cox), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L) & Tensione attraverso l'ossido (Vox) possiamo trovare Conduttanza del canale dei MOSFET utilizzando la formula - Conductance of Channel = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido.
Il Conduttanza del canale dei MOSFET può essere negativo?
SÌ, Conduttanza del canale dei MOSFET, misurato in Conduttanza elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Conduttanza del canale dei MOSFET?
Conduttanza del canale dei MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens[mS] per Conduttanza elettrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Conduttanza del canale dei MOSFET.
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