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Formula Concentrazione portante intrinseca

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La concentrazione portante intrinseca viene utilizzata per descrivere la concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un materiale semiconduttore intrinseco o non drogato all'equilibrio termico. Controlla FAQs

n i = \sqrt{N v \cdot N c} \cdot \exp (- \frac{E g}{2 \cdot [BoltZ] \cdot T})

n_i - Concentrazione portante intrinseca?N_v - Densità di stato effettiva in banda di valenza?N_c - Densità di stato effettiva in banda di conduzione?E_g - Divario Energetico?T - Temperatura?[BoltZ] - Costante di Boltzmann?

Esempio di Concentrazione portante intrinseca

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Concentrazione portante intrinseca con Valori.

Ecco come appare l'equazione Concentrazione portante intrinseca con unità.

Ecco come appare l'equazione Concentrazione portante intrinseca.

2.7E+8 = \sqrt{2.4E+11 \cdot 6.4E+8} \cdot \exp (- \frac{0.198}{2 \cdot 1.4E-23 \cdot 300})

2.7E+81/m³ = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{0.198eV}{2 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 300K})

2.7E+8 = \sqrt{2.4E+11 \cdot 6.4E+8} \cdot \exp (- \frac{0.198}{2 \cdot 1.4E-23 \cdot 300})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Dispositivi a stato solido » fx Concentrazione portante intrinseca

Concentrazione portante intrinseca Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Concentrazione portante intrinseca?

Primo passo Considera la formula

n i = \sqrt{N v \cdot N c} \cdot \exp (- \frac{E g}{2 \cdot [BoltZ] \cdot T})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

n i = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{0.198eV}{2 \cdot [BoltZ] \cdot 300K})

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

n i = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{0.198eV}{2 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 300K})

Passo successivo Converti unità

∴

n i = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{3.2E-20J}{2 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 300K})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

n i = \sqrt{2.4E+11 \cdot 6.4E+8} \cdot \exp (- \frac{3.2E-20}{2 \cdot 1.4E-23 \cdot 300})

Passo successivo Valutare

∴

n i = 269195320.4077421/m³

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

n i = 2.7E+81/m³

Concentrazione portante intrinseca Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Concentrazione portante intrinseca

Simbolo: n_i

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione portante intrinseca

Densità di stato effettiva in banda di valenza

La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.

Simbolo: N_v

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Densità di stato effettiva in banda di valenza

Densità di stato effettiva in banda di conduzione

La densità di stato effettiva nella banda di conduzione è definita come il numero di minimi di energia equivalenti nella banda di conduzione.

Simbolo: N_c

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Divario Energetico

Gap energetico nella fisica dello stato solido, un gap energetico è un intervallo di energia in un solido in cui non esistono stati di elettroni.

Simbolo: E_g

Misurazione: EnergiaUnità: eV

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Divario Energetico

Temperatura

La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.

Simbolo: T

Misurazione: TemperaturaUnità: K

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Temperatura

Costante di Boltzmann

La costante di Boltzmann mette in relazione l'energia cinetica media delle particelle in un gas con la temperatura del gas ed è una costante fondamentale nella meccanica statistica e nella termodinamica.

Simbolo: [BoltZ]

Valore: 1.38064852E-23 J/K

exp

In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente.

Sintassi: exp(Number)

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

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va Coefficiente di distribuzione

k d = \frac{C solid}{C L}

va Energia fotoelettronica

E photo = [hP] \cdot f

va Funzione di Fermi

f E = \frac{n 0}{N c}

va Energia della banda di conduzione

E c = E g + E v

Vedi altro OpenImg

Come valutare Concentrazione portante intrinseca?

Il valutatore Concentrazione portante intrinseca utilizza Intrinsic Carrier Concentration = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura)) per valutare Concentrazione portante intrinseca, La formula della concentrazione portante intrinseca è definita come numero di elettroni nella banda di conduzione o numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco. Questo numero di portatori dipende dal band gap del materiale e dalla temperatura del materiale. Concentrazione portante intrinseca è indicato dal simbolo n_i.

Come valutare Concentrazione portante intrinseca utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Concentrazione portante intrinseca, inserisci Densità di stato effettiva in banda di valenza (N_v), Densità di stato effettiva in banda di conduzione (N_c), Divario Energetico (E_g) & Temperatura (T) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Concentrazione portante intrinseca

Qual è la formula per trovare Concentrazione portante intrinseca?

La formula di Concentrazione portante intrinseca è espressa come Intrinsic Carrier Concentration = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura)). Ecco un esempio: 2.7E+8 = sqrt(240000000000*640000000)*exp(-3.17231111340001E-20/(2*[BoltZ]*300)).

Come calcolare Concentrazione portante intrinseca?

Con Densità di stato effettiva in banda di valenza (N_v), Densità di stato effettiva in banda di conduzione (N_c), Divario Energetico (E_g) & Temperatura (T) possiamo trovare Concentrazione portante intrinseca utilizzando la formula - Intrinsic Carrier Concentration = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura)). Questa formula utilizza anche le funzioni Costante di Boltzmann e , Crescita esponenziale (exp), Radice quadrata (sqrt).

Il Concentrazione portante intrinseca può essere negativo?

NO, Concentrazione portante intrinseca, misurato in Concentrazione del portatore non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Concentrazione portante intrinseca?

Concentrazione portante intrinseca viene solitamente misurato utilizzando 1 per metro cubo[1/m³] per Concentrazione del portatore. 1 per centimetro cubo[1/m³], per litro[1/m³] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Concentrazione portante intrinseca.

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