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Formula Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa

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La concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo è definita come il numero di atomi accettori dopati nel materiale semiconduttore dopo lo scaling completo del dispositivo a semiconduttore. Controlla FAQs

N A' = N A \cdot Sf

N_A' - Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo?N_A - Concentrazione dell'accettore?Sf - Fattore di scala?

Esempio di Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa con Valori.

Ecco come appare l'equazione Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa con unità.

Ecco come appare l'equazione Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa.

1.5E+16 = 1E+16 \cdot 1.5

1.5E+161/cm³ = 1E+161/cm³ \cdot 1.5

1.5E+16 = 1E+16 \cdot 1.5

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Fabbricazione VLSI » fx Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa

Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa?

Primo passo Considera la formula

N A' = N A \cdot Sf

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

N A' = 1E+161/cm³ \cdot 1.5

Passo successivo Converti unità

∴

N A' = 1E+221/m³ \cdot 1.5

Passo successivo Preparati a valutare

∴

N A' = 1E+22 \cdot 1.5

Passo successivo Valutare

∴

N A' = 1.5E+221/m³

Ultimo passo Converti nell'unità di output

∴

N A' = 1.5E+161/cm³

Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa Formula Elementi

Variabili

Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo

La concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo è definita come il numero di atomi accettori dopati nel materiale semiconduttore dopo lo scaling completo del dispositivo a semiconduttore.

Simbolo: N_A'

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Fattore di scala

Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

Simbolo: Sf

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Fattore di scala

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa?

Il valutatore Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa utilizza Acceptor Concentration after Full Scaling = Concentrazione dell'accettore*Fattore di scala per valutare Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo, La formula VLSI Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo è definita come il numero di atomi accettori drogati nel materiale semiconduttore dopo lo scaling completo del dispositivo a semiconduttore. Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo è indicato dal simbolo N_A'.

Come valutare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa, inserisci Concentrazione dell'accettore (N_A) & Fattore di scala (Sf) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa

Qual è la formula per trovare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa?

La formula di Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa è espressa come Acceptor Concentration after Full Scaling = Concentrazione dell'accettore*Fattore di scala. Ecco un esempio: 1.5E+10 = 1E+22*1.5.

Come calcolare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa?

Con Concentrazione dell'accettore (N_A) & Fattore di scala (Sf) possiamo trovare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa utilizzando la formula - Acceptor Concentration after Full Scaling = Concentrazione dell'accettore*Fattore di scala.

Il Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa può essere negativo?

NO, Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa, misurato in Concentrazione del portatore non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa?

Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa viene solitamente misurato utilizzando 1 per centimetro cubo[1/cm³] per Concentrazione del portatore. 1 per metro cubo[1/cm³], per litro[1/cm³] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa.

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Formula Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa

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