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Formula Concentrazione del drogante accettore

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La concentrazione del drogante dell'accettore è la mobilità dei portatori di carica (fori in questo caso) e le dimensioni del dispositivo a semiconduttore. Controlla FAQs

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

N_a - Concentrazione del drogante accettore?L_t - Lunghezza del transistor?W_t - Larghezza del transistor?μ_p - Mobilità dei fori?C_dep - Capacità dello strato di esaurimento?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?π - Costante di Archimede?

Esempio di Concentrazione del drogante accettore

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Concentrazione del drogante accettore con Valori.

Ecco come appare l'equazione Concentrazione del drogante accettore con unità.

Ecco come appare l'equazione Concentrazione del drogante accettore.

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

1E+32electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

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Circuiti integrati (IC) » fx Concentrazione del drogante accettore

Concentrazione del drogante accettore Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Concentrazione del drogante accettore?

Primo passo Considera la formula

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot [Charge-e] \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Passo successivo Converti unità

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6m \cdot 5.5E-6m \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6 \cdot 5.5E-6 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4E-6}

Passo successivo Valutare

∴

N a = 1.00788050957133E+32electrons/m³

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

N a = 1E+32electrons/m³

Concentrazione del drogante accettore Formula Elementi

Variabili

Costanti

Concentrazione del drogante accettore

La concentrazione del drogante dell'accettore è la mobilità dei portatori di carica (fori in questo caso) e le dimensioni del dispositivo a semiconduttore.

Simbolo: N_a

Misurazione: Densità elettronicaUnità: electrons/m³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione del drogante accettore

Lunghezza del transistor

La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.

Simbolo: L_t

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del transistor

Larghezza del transistor

La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.

Simbolo: W_t

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del transistor

Mobilità dei fori

La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.

Simbolo: μ_p

Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità dei fori

Capacità dello strato di esaurimento

La capacità dello strato di svuotamento per unità di area è la capacità dello strato di svuotamento per unità di area.

Simbolo: C_dep

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Capacità dello strato di esaurimento

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Costante di Archimede

La costante di Archimede è una costante matematica che rappresenta il rapporto tra la circonferenza di un cerchio e il suo diametro.

Simbolo: π

Valore: 3.14159265358979323846264338327950288

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati MOS

va Effetto corpo nel MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

va Frequenza di guadagno unitario MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

va Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

va Resistenza del canale

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Concentrazione del drogante accettore?

Il valutatore Concentrazione del drogante accettore utilizza Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento) per valutare Concentrazione del drogante accettore, La formula della concentrazione del drogante accettore è definita come la concentrazione di atomi accettori per unità di volume. Si riferisce alla concentrazione di atomi droganti aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore per creare un eccesso di "buchi" caricati positivamente nel reticolo cristallino. Concentrazione del drogante accettore è indicato dal simbolo N_a.

Come valutare Concentrazione del drogante accettore utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Concentrazione del drogante accettore, inserisci Lunghezza del transistor (L_t), Larghezza del transistor (W_t), Mobilità dei fori (μ_p) & Capacità dello strato di esaurimento (C_dep) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Concentrazione del drogante accettore

Qual è la formula per trovare Concentrazione del drogante accettore?

La formula di Concentrazione del drogante accettore è espressa come Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento). Ecco un esempio: 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06).

Come calcolare Concentrazione del drogante accettore?

Con Lunghezza del transistor (L_t), Larghezza del transistor (W_t), Mobilità dei fori (μ_p) & Capacità dello strato di esaurimento (C_dep) possiamo trovare Concentrazione del drogante accettore utilizzando la formula - Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento). Questa formula utilizza anche Carica dell'elettrone, Costante di Archimede .

Il Concentrazione del drogante accettore può essere negativo?

NO, Concentrazione del drogante accettore, misurato in Densità elettronica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Concentrazione del drogante accettore?

Concentrazione del drogante accettore viene solitamente misurato utilizzando Elettroni per metro cubo[electrons/m³] per Densità elettronica. Elettroni per centimetro cubo[electrons/m³] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Concentrazione del drogante accettore.

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