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Formula Coefficiente di polarizzazione del substrato

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Il coefficiente di polarizzazione del substrato è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo). Controlla FAQs

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

γ_s - Coefficiente di polarizzazione del substrato?N_A - Concentrazione antidoping dell'accettore?C_ox - Capacità dell'ossido?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?

Esempio di Coefficiente di polarizzazione del substrato

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Coefficiente di polarizzazione del substrato con Valori.

Ecco come appare l'equazione Coefficiente di polarizzazione del substrato con unità.

Ecco come appare l'equazione Coefficiente di polarizzazione del substrato.

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Coefficiente di polarizzazione del substrato Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Coefficiente di polarizzazione del substrato?

Primo passo Considera la formula

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Passo successivo Converti unità

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³}}{3.9F}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6}}{3.9}

Passo successivo Valutare

∴

γ s = 5.70407834987726E-07

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

γ s = 5.7E-7

Coefficiente di polarizzazione del substrato Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Coefficiente di polarizzazione del substrato

Il coefficiente di polarizzazione del substrato è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo).

Simbolo: γ_s

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Coefficiente di polarizzazione del substrato

Concentrazione antidoping dell'accettore

La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Densità elettronicaUnità: electrons/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione antidoping dell'accettore

Capacità dell'ossido

La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: F

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dell'ossido

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Transistor MOS

va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

C jsw = C j0sw \cdot x j

va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

va Potenziale di Fermi per il tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

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Vedi altro OpenImg

Come valutare Coefficiente di polarizzazione del substrato?

Il valutatore Coefficiente di polarizzazione del substrato utilizza Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido per valutare Coefficiente di polarizzazione del substrato, La formula del coefficiente di polarizzazione del substrato è definita come un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo). Coefficiente di polarizzazione del substrato è indicato dal simbolo γ_s.

Come valutare Coefficiente di polarizzazione del substrato utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Coefficiente di polarizzazione del substrato, inserisci Concentrazione antidoping dell'accettore (N_A) & Capacità dell'ossido (C_ox) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Coefficiente di polarizzazione del substrato

Qual è la formula per trovare Coefficiente di polarizzazione del substrato?

La formula di Coefficiente di polarizzazione del substrato è espressa come Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido. Ecco un esempio: 5.7E-7 = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9.

Come calcolare Coefficiente di polarizzazione del substrato?

Con Concentrazione antidoping dell'accettore (N_A) & Capacità dell'ossido (C_ox) possiamo trovare Coefficiente di polarizzazione del substrato utilizzando la formula - Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido. Questa formula utilizza anche le funzioni Carica dell'elettrone, Permittività del silicio costante(i) e Radice quadrata (sqrt).

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