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La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate. Controlla FAQs
Qp=-Cox(VGS-VT)
Qp - Carica dello strato di inversione?Cox - Capacità di ossido?VGS - Tensione tra Gate e Source?VT - Soglia di voltaggio?

Esempio di Carica dello strato di inversione in PMOS

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Carica dello strato di inversione in PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Carica dello strato di inversione in PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Carica dello strato di inversione in PMOS.

-0.0017Edit=-0.0008Edit(2.86Edit-0.7Edit)
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Elettronica analogica » fx Carica dello strato di inversione in PMOS

Carica dello strato di inversione in PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Carica dello strato di inversione in PMOS?

Primo passo Considera la formula
Qp=-Cox(VGS-VT)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Qp=-0.0008F(2.86V-0.7V)
Passo successivo Preparati a valutare
Qp=-0.0008(2.86-0.7)
Passo successivo Valutare
Qp=-0.001728C/m²
Ultimo passo Risposta arrotondata
Qp=-0.0017C/m²

Carica dello strato di inversione in PMOS Formula Elementi

Variabili
Carica dello strato di inversione
La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Simbolo: Qp
Misurazione: Densità di carica superficialeUnità: C/m²
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Capacità di ossido
La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione tra Gate e Source
La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Simbolo: VGS
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule per trovare Carica dello strato di inversione

​va Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS
Qp=-Cox(VGS-VT-VDS)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

​va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS
Id=k'pWL((VGS-modu̲s(VT))VDS-12(VDS)2)
​va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd
Id=k'pWL(modu̲s(Vov)-12VDS)VDS
​va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS
Ids=12k'pWL(VGS-modu̲s(VT))2
​va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov
Ids=12k'pWL(Vov)2

Come valutare Carica dello strato di inversione in PMOS?

Il valutatore Carica dello strato di inversione in PMOS utilizza Inversion Layer Charge = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio) per valutare Carica dello strato di inversione, La carica dello strato di inversione nella formula PMOS è definita come carica dello strato di inversione in un transistor a effetto di campo (PMOS) a semiconduttore di ossido di metallo a canale p si riferisce all'accumulo di portatori di carica negativa (elettroni) all'interfaccia tra il semiconduttore di tipo p substrato e lo strato isolante (ossido) quando viene applicata una tensione al terminale di gate. Carica dello strato di inversione è indicato dal simbolo Qp.

Come valutare Carica dello strato di inversione in PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Carica dello strato di inversione in PMOS, inserisci Capacità di ossido (Cox), Tensione tra Gate e Source (VGS) & Soglia di voltaggio (VT) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Carica dello strato di inversione in PMOS

Qual è la formula per trovare Carica dello strato di inversione in PMOS?
La formula di Carica dello strato di inversione in PMOS è espressa come Inversion Layer Charge = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio). Ecco un esempio: -0.001728 = -0.0008*(2.86-0.7).
Come calcolare Carica dello strato di inversione in PMOS?
Con Capacità di ossido (Cox), Tensione tra Gate e Source (VGS) & Soglia di voltaggio (VT) possiamo trovare Carica dello strato di inversione in PMOS utilizzando la formula - Inversion Layer Charge = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio).
Quali sono gli altri modi per calcolare Carica dello strato di inversione?
Ecco i diversi modi per calcolare Carica dello strato di inversione-
  • Inversion Layer Charge=-Oxide Capacitance*(Voltage between Gate and Source-Threshold Voltage-Voltage between Drain and Source)OpenImg
Il Carica dello strato di inversione in PMOS può essere negativo?
SÌ, Carica dello strato di inversione in PMOS, misurato in Densità di carica superficiale Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Carica dello strato di inversione in PMOS?
Carica dello strato di inversione in PMOS viene solitamente misurato utilizzando Coulomb per metro quadrato[C/m²] per Densità di carica superficiale. Coulomb per centimetro quadrato[C/m²], Coulomb per pollice quadrato[C/m²], Abcoulomb per metro quadrato[C/m²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Carica dello strato di inversione in PMOS.
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