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Formula Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

vaCarica dello strato di inversione in PMOS Formula

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La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate. Controlla FAQs

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Q_p - Carica dello strato di inversione?C_ox - Capacità di ossido?V_GS - Tensione tra Gate e Source?V_T - Soglia di voltaggio?V_DS - Tensione tra Drain e Source?

Esempio di Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS.

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

0.0002C/m² = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS?

Primo passo Considera la formula

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

Q p = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

Passo successivo Preparati a valutare

∴

Q p = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Passo successivo Valutare

∴

Q p = 0.000232C/m²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

Q p = 0.0002C/m²

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS Formula Elementi

Variabili

Carica dello strato di inversione

Simbolo: Q_p

Misurazione: Densità di carica superficialeUnità: C/m²

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Carica dello strato di inversione

Capacità di ossido

La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: F

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Capacità di ossido

Tensione tra Gate e Source

La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.

Simbolo: V_GS

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione tra Gate e Source

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_T

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Tensione tra Drain e Source

La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS.

Simbolo: V_DS

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione tra Drain e Source

Altre formule per trovare Carica dello strato di inversione

va Carica dello strato di inversione in PMOS

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS?

Il valutatore Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS utilizza Inversion Layer Charge = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source) per valutare Carica dello strato di inversione, La carica dello strato di inversione alla condizione di pinch-off nella formula PMOS è definita come la carica dello strato di inversione alla condizione di pinch-off in un transistor PMOS è la quantità di carica che si accumula all'interfaccia tra il substrato di tipo p e lo strato di ossido quando il il transistor è spento e determina la conduttanza del transistor quando è acceso. Carica dello strato di inversione è indicato dal simbolo Q_p.

Come valutare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS, inserisci Capacità di ossido (C_ox), Tensione tra Gate e Source (V_GS), Soglia di voltaggio (V_T) & Tensione tra Drain e Source (V_DS) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Qual è la formula per trovare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS?

La formula di Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS è espressa come Inversion Layer Charge = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source). Ecco un esempio: 0.000232 = -0.0008*(2.86-0.7-2.45).

Come calcolare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS?

Con Capacità di ossido (C_ox), Tensione tra Gate e Source (V_GS), Soglia di voltaggio (V_T) & Tensione tra Drain e Source (V_DS) possiamo trovare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS utilizzando la formula - Inversion Layer Charge = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source).

Quali sono gli altri modi per calcolare Carica dello strato di inversione?

Ecco i diversi modi per calcolare Carica dello strato di inversione-

Inversion Layer Charge=-Oxide Capacitance*(Voltage between Gate and Source-Threshold Voltage)

Il Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS può essere negativo?

SÌ, Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS, misurato in Densità di carica superficiale Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS?

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS viene solitamente misurato utilizzando Coulomb per metro quadrato[C/m²] per Densità di carica superficiale. Coulomb per centimetro quadrato[C/m²], Coulomb per pollice quadrato[C/m²], Abcoulomb per metro quadrato[C/m²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS.

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Formula Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

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Esempio di Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

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vaCarica dello strato di inversione in PMOS Formula