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Formula Capacità effettiva in CMOS

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La capacità effettiva nel CMOS è definita come il rapporto tra la quantità di carica elettrica immagazzinata su un conduttore e la differenza di potenziale elettrico. Controlla FAQs

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

C_eff - Capacità effettiva nel CMOS?D - Ciclo di lavoro?i_off - Fuori corrente?V_bc - Tensione del collettore di base?N_g - Cancelli sul percorso critico?[BoltZ] - Costante di Boltzmann?

Esempio di Capacità effettiva in CMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Capacità effettiva in CMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Capacità effettiva in CMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Capacità effettiva in CMOS.

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

5.1379μF = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

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Progettazione e applicazioni CMOS » fx Capacità effettiva in CMOS

Capacità effettiva in CMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Capacità effettiva in CMOS?

Primo passo Considera la formula

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot [BoltZ] \cdot 2.02V}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Passo successivo Converti unità

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5A \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Passo successivo Valutare

∴

C eff = 5.13789525162511E-06F

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

C eff = 5.13789525162511μF

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

C eff = 5.1379μF

Capacità effettiva in CMOS Formula Elementi

Variabili

Costanti

Capacità effettiva nel CMOS

La capacità effettiva nel CMOS è definita come il rapporto tra la quantità di carica elettrica immagazzinata su un conduttore e la differenza di potenziale elettrico.

Simbolo: C_eff

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità effettiva nel CMOS

Ciclo di lavoro

Un ciclo di lavoro o ciclo di alimentazione è la frazione di un periodo in cui un segnale o un sistema è attivo.

Simbolo: D

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Ciclo di lavoro

Fuori corrente

La corrente disattivata di un interruttore è un valore inesistente nella realtà. Gli interruttori reali hanno normalmente una corrente di spegnimento molto piccola, che a volte viene chiamata corrente di dispersione.

Simbolo: i_off

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Fuori corrente

Tensione del collettore di base

La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.

Simbolo: V_bc

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione del collettore di base

Cancelli sul percorso critico

Le porte sul percorso critico sono definite come il numero totale di porte logiche richieste durante un tempo di ciclo in CMOS.

Simbolo: N_g

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Cancelli sul percorso critico

Costante di Boltzmann

La costante di Boltzmann mette in relazione l'energia cinetica media delle particelle in un gas con la temperatura del gas ed è una costante fondamentale nella meccanica statistica e nella termodinamica.

Simbolo: [BoltZ]

Valore: 1.38064852E-23 J/K

Altre formule nella categoria Caratteristiche del circuito CMOS

va Tensione critica CMOS

V c = E c \cdot L

va CMOS percorso libero medio

L = \frac{V c}{E c}

va Larghezza della diffusione della sorgente

W = \frac{A s}{D s}

va Area di diffusione della sorgente

A s = D s \cdot W

Vedi altro OpenImg

Come valutare Capacità effettiva in CMOS?

Il valutatore Capacità effettiva in CMOS utilizza Effective Capacitance in CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base) per valutare Capacità effettiva nel CMOS, La capacità effettiva nella formula CMOS è definita come il rapporto tra la quantità di carica elettrica immagazzinata su un conduttore e la differenza di potenziale elettrico. Capacità effettiva nel CMOS è indicato dal simbolo C_eff.

Come valutare Capacità effettiva in CMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Capacità effettiva in CMOS, inserisci Ciclo di lavoro (D), Fuori corrente (i_off), Tensione del collettore di base (V_bc) & Cancelli sul percorso critico (N_g) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Capacità effettiva in CMOS

Qual è la formula per trovare Capacità effettiva in CMOS?

La formula di Capacità effettiva in CMOS è espressa come Effective Capacitance in CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base). Ecco un esempio: 5.1E+6 = 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02).

Come calcolare Capacità effettiva in CMOS?

Con Ciclo di lavoro (D), Fuori corrente (i_off), Tensione del collettore di base (V_bc) & Cancelli sul percorso critico (N_g) possiamo trovare Capacità effettiva in CMOS utilizzando la formula - Effective Capacitance in CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base). Questa formula utilizza anche Costante di Boltzmann .

Il Capacità effettiva in CMOS può essere negativo?

NO, Capacità effettiva in CMOS, misurato in Capacità non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità effettiva in CMOS?

Capacità effettiva in CMOS viene solitamente misurato utilizzando Microfarad[μF] per Capacità. Farad[μF], kilofarad[μF], Millifrad[μF] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità effettiva in CMOS.

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Esempio di Capacità effettiva in CMOS

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Capacità effettiva in CMOS Formula Elementi

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