Formula Capacità di giunzione PN

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La capacità di giunzione si riferisce alla capacità associata alla giunzione pn formata tra due regioni di semiconduttore in un dispositivo a semiconduttore, come un diodo o un transistor. Controlla FAQs
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Cj - Capacità di giunzione?Apn - Area di giunzione PN?εr - Permittività relativa?V0 - Tensione attraverso la giunzione PN?V - Tensione di polarizzazione inversa?NA - Concentrazione dell'accettore?ND - Concentrazione dei donatori?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?

Esempio di Capacità di giunzione PN

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Capacità di giunzione PN con Valori.

Ecco come appare l'equazione Capacità di giunzione PN con unità.

Ecco come appare l'equazione Capacità di giunzione PN.

1.9E+6Edit=4.8Edit221.6E-1978Edit11.70.6Edit-(-4Edit)(1E+22Edit1E+24Edit1E+22Edit+1E+24Edit)
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Capacità di giunzione PN Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Capacità di giunzione PN?

Primo passo Considera la formula
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Cj=4.8µm²22[Charge-e]78F/m[Permitivity-silicon]0.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti
Cj=4.8µm²221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Passo successivo Converti unità
Cj=4.8E-12221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Passo successivo Preparati a valutare
Cj=4.8E-12221.6E-197811.70.6-(-4)(1E+221E+241E+22+1E+24)
Passo successivo Valutare
Cj=1.9040662888657E-09F
Passo successivo Converti nell'unità di output
Cj=1904066.2888657fF
Ultimo passo Risposta arrotondata
Cj=1.9E+6fF

Capacità di giunzione PN Formula Elementi

Variabili
Costanti
Funzioni
Capacità di giunzione
La capacità di giunzione si riferisce alla capacità associata alla giunzione pn formata tra due regioni di semiconduttore in un dispositivo a semiconduttore, come un diodo o un transistor.
Simbolo: Cj
Misurazione: CapacitàUnità: fF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Area di giunzione PN
L'area di giunzione PN è il confine o l'area di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.
Simbolo: Apn
Misurazione: La zonaUnità: µm²
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Permittività relativa
La permettetività relativa è una misura della capacità di un materiale di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.
Simbolo: εr
Misurazione: PermittivitàUnità: F/m
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione attraverso la giunzione PN
La tensione attraverso la giunzione PN è il potenziale integrato attraverso la giunzione pn di un semiconduttore senza alcuna polarizzazione esterna.
Simbolo: V0
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere compreso tra 0.3 e 0.8.
Tensione di polarizzazione inversa
La tensione di polarizzazione inversa è la tensione esterna negativa applicata alla giunzione pn.
Simbolo: V
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere inferiore a 0.
Concentrazione dell'accettore
La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Simbolo: NA
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Concentrazione dei donatori
La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione di atomi droganti donatori introdotti in un materiale semiconduttore per aumentare il numero di elettroni liberi.
Simbolo: ND
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Carica dell'elettrone
La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.
Simbolo: [Charge-e]
Valore: 1.60217662E-19 C
Permittività del silicio
La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.
Simbolo: [Permitivity-silicon]
Valore: 11.7
sqrt
Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Dispositivi con componenti ottici

​va Angolo di rotazione del piano di polarizzazione
θ=1.8BLm
​va Angolo dell'apice
A=tan(α)

Come valutare Capacità di giunzione PN?

Il valutatore Capacità di giunzione PN utilizza Junction Capacitance = Area di giunzione PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittività relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensione attraverso la giunzione PN-(Tensione di polarizzazione inversa))*((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori))) per valutare Capacità di giunzione, La formula della capacità della giunzione PN è definita come la capacità associata alla regione di esaurimento di una giunzione pn a causa delle cariche accumulate. È prominente nella condizione di polarizzazione inversa perché questa condizione aumenta il potenziale di barriera e quindi la capacità ai suoi capi. Capacità di giunzione è indicato dal simbolo Cj.

Come valutare Capacità di giunzione PN utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Capacità di giunzione PN, inserisci Area di giunzione PN (Apn), Permittività relativa r), Tensione attraverso la giunzione PN (V0), Tensione di polarizzazione inversa (V), Concentrazione dell'accettore (NA) & Concentrazione dei donatori (ND) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Capacità di giunzione PN

Qual è la formula per trovare Capacità di giunzione PN?
La formula di Capacità di giunzione PN è espressa come Junction Capacitance = Area di giunzione PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittività relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensione attraverso la giunzione PN-(Tensione di polarizzazione inversa))*((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori))). Ecco un esempio: 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).
Come calcolare Capacità di giunzione PN?
Con Area di giunzione PN (Apn), Permittività relativa r), Tensione attraverso la giunzione PN (V0), Tensione di polarizzazione inversa (V), Concentrazione dell'accettore (NA) & Concentrazione dei donatori (ND) possiamo trovare Capacità di giunzione PN utilizzando la formula - Junction Capacitance = Area di giunzione PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittività relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensione attraverso la giunzione PN-(Tensione di polarizzazione inversa))*((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori))). Questa formula utilizza anche le funzioni Carica dell'elettrone, Permittività del silicio costante(i) e Radice quadrata (sqrt).
Il Capacità di giunzione PN può essere negativo?
NO, Capacità di giunzione PN, misurato in Capacità non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità di giunzione PN?
Capacità di giunzione PN viene solitamente misurato utilizzando Femtofarad[fF] per Capacità. Farad[fF], kilofarad[fF], Millifrad[fF] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità di giunzione PN.
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