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Formula Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

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La capacità di ossido dopo il ridimensionamento completo si riferisce alla nuova capacità dopo aver ridotto le dimensioni del MOSFET mediante ridimensionamento completo. Controlla FAQs

C oxide' = C oxide \cdot Sf

C_oxide' - Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo?C_oxide - Capacità di ossido per unità di area?Sf - Fattore di scala?

Esempio di Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI.

0.1054 = 0.0703 \cdot 1.5

0.1054μF/cm² = 0.0703μF/cm² \cdot 1.5

0.1054 = 0.0703 \cdot 1.5

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

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Fabbricazione VLSI » fx Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI?

Primo passo Considera la formula

C oxide' = C oxide \cdot Sf

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

C oxide' = 0.0703μF/cm² \cdot 1.5

Passo successivo Converti unità

∴

C oxide' = 0.0007F/m² \cdot 1.5

Passo successivo Preparati a valutare

∴

C oxide' = 0.0007 \cdot 1.5

Passo successivo Valutare

∴

C oxide' = 0.0010545F/m²

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

C oxide' = 0.10545μF/cm²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

C oxide' = 0.1054μF/cm²

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI Formula Elementi

Variabili

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo

La capacità di ossido dopo il ridimensionamento completo si riferisce alla nuova capacità dopo aver ridotto le dimensioni del MOSFET mediante ridimensionamento completo.

Simbolo: C_oxide'

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo

Capacità di ossido per unità di area

La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.

Simbolo: C_oxide

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità di ossido per unità di area

Fattore di scala

Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

Simbolo: Sf

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Fattore di scala

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI?

Il valutatore Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI utilizza Oxide Capacitance after Full Scaling = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala per valutare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo, La formula VLSI della capacità di ossido dopo il ridimensionamento completo è definita come nuova capacità dopo aver ridotto le dimensioni del MOSFET mediante il ridimensionamento completo. Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo è indicato dal simbolo C_oxide'.

Come valutare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI, inserisci Capacità di ossido per unità di area (C_oxide) & Fattore di scala (Sf) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Qual è la formula per trovare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI?

La formula di Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI è espressa come Oxide Capacitance after Full Scaling = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala. Ecco un esempio: 10.545 = 0.000703*1.5.

Come calcolare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI?

Con Capacità di ossido per unità di area (C_oxide) & Fattore di scala (Sf) possiamo trovare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI utilizzando la formula - Oxide Capacitance after Full Scaling = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala.

Il Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI può essere negativo?

NO, Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI, misurato in Capacità di ossido per area unitaria non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI?

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per centimetro quadrato[μF/cm²] per Capacità di ossido per area unitaria. Farad per metro quadrato[μF/cm²], Nanofarad per centimetro quadrato[μF/cm²], Microfarad per millimetro quadrato[μF/cm²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI.

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