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Formula Capacità dell'ossido di gate

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La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo. Controlla FAQs

C ox = \frac{C g}{W g \cdot L g}

C_ox - Capacità dello strato di ossido di gate?C_g - Capacità del cancello?W_g - Larghezza del cancello?L_g - Lunghezza del cancello?

Esempio di Capacità dell'ossido di gate

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Capacità dell'ossido di gate con Valori.

Ecco come appare l'equazione Capacità dell'ossido di gate con unità.

Ecco come appare l'equazione Capacità dell'ossido di gate.

29.8371 = \frac{59.61}{0.285 \cdot 7.01}

29.8371μF/mm² = \frac{59.61μF}{0.285mm \cdot 7.01mm}

29.8371 = \frac{59.61}{0.285 \cdot 7.01}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Fabbricazione VLSI » fx Capacità dell'ossido di gate

Capacità dell'ossido di gate Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Capacità dell'ossido di gate?

Primo passo Considera la formula

C ox = \frac{C g}{W g \cdot L g}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

C ox = \frac{59.61μF}{0.285mm \cdot 7.01mm}

Passo successivo Converti unità

∴

C ox = \frac{6E-5F}{0.0003m \cdot 0.007m}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

C ox = \frac{6E-5}{0.0003 \cdot 0.007}

Passo successivo Valutare

∴

C ox = 29.8370748554696F/m²

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

C ox = 29.8370748554696μF/mm²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

C ox = 29.8371μF/mm²

Capacità dell'ossido di gate Formula Elementi

Variabili

Capacità dello strato di ossido di gate

La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.

Simbolo: C_ox

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/mm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dello strato di ossido di gate

Capacità del cancello

La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.

Simbolo: C_g

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità del cancello

Larghezza del cancello

La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.

Simbolo: W_g

Misurazione: LunghezzaUnità: mm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del cancello

Lunghezza del cancello

La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.

Simbolo: L_g

Misurazione: LunghezzaUnità: mm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del cancello

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Capacità dell'ossido di gate?

Il valutatore Capacità dell'ossido di gate utilizza Capacitance of Gate Oxide Layer = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello) per valutare Capacità dello strato di ossido di gate, La formula della capacità di ossido di gate è definita come la capacità dello strato di ossido dei MOSFET. È la misura della capacità del sottile strato isolante (ossido di gate) che separa il terminale di gate dalla regione del canale. Capacità dello strato di ossido di gate è indicato dal simbolo C_ox.

Come valutare Capacità dell'ossido di gate utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Capacità dell'ossido di gate, inserisci Capacità del cancello (C_g), Larghezza del cancello (W_g) & Lunghezza del cancello (L_g) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Capacità dell'ossido di gate

Qual è la formula per trovare Capacità dell'ossido di gate?

La formula di Capacità dell'ossido di gate è espressa come Capacitance of Gate Oxide Layer = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello). Ecco un esempio: 29.83707 = 5.961E-05/(0.000285*0.00701).

Come calcolare Capacità dell'ossido di gate?

Con Capacità del cancello (C_g), Larghezza del cancello (W_g) & Lunghezza del cancello (L_g) possiamo trovare Capacità dell'ossido di gate utilizzando la formula - Capacitance of Gate Oxide Layer = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello).

Il Capacità dell'ossido di gate può essere negativo?

NO, Capacità dell'ossido di gate, misurato in Capacità di ossido per area unitaria non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità dell'ossido di gate?

Capacità dell'ossido di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per millimetro quadrato[μF/mm²] per Capacità di ossido per area unitaria. Farad per metro quadrato[μF/mm²], Nanofarad per centimetro quadrato[μF/mm²], Microfarad per centimetro quadrato[μF/mm²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità dell'ossido di gate.

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Capacità dell'ossido di gate Soluzione

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