Formula Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

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La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET). Controlla FAQs
Cgs=(23WtLtCox)+(WtCov)
Cgs - Capacità della sorgente di gate?Wt - Larghezza del transistor?Lt - Lunghezza del transistor?Cox - Capacità dell'ossido?Cov - Capacità di sovrapposizione?

Esempio di Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione con Valori.

Ecco come appare l'equazione Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione con unità.

Ecco come appare l'equazione Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione.

13.75Edit=(235.5Edit3.2Edit3.9Edit)+(5.5Edit2.5Edit)
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Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione?

Primo passo Considera la formula
Cgs=(23WtLtCox)+(WtCov)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Cgs=(235.5μm3.2μm3.9F)+(5.5μm2.5F)
Passo successivo Converti unità
Cgs=(235.5E-6m3.2E-6m3.9F)+(5.5E-6m2.5F)
Passo successivo Preparati a valutare
Cgs=(235.5E-63.2E-63.9)+(5.5E-62.5)
Passo successivo Valutare
Cgs=1.375004576E-05F
Passo successivo Converti nell'unità di output
Cgs=13.75004576μF
Ultimo passo Risposta arrotondata
Cgs=13.75μF

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione Formula Elementi

Variabili
Capacità della sorgente di gate
La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: Cgs
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Larghezza del transistor
La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Simbolo: Wt
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Lunghezza del transistor
La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Simbolo: Lt
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità dell'ossido
La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità di sovrapposizione
La capacità di sovrapposizione è una capacità parassita che si verifica a causa della sovrapposizione fisica tra il gate e le regioni source/drain.
Simbolo: Cov
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

​va Impurezza con concentrazione intrinseca
ni=nepto
​va Conduttività ohmica delle impurità
σ=q(μnne+μpp)
​va Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
Vce=Vcb(ig)1n
​va Conduttività di tipo N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))

Come valutare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione?

Il valutatore Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione utilizza Gate Source Capacitance = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione) per valutare Capacità della sorgente di gate, La formula della capacità di sovrapposizione data la capacità della sorgente del gate è definita come la capacità tra i terminali del gate e della sorgente. Capacità della sorgente di gate è indicato dal simbolo Cgs.

Come valutare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione, inserisci Larghezza del transistor (Wt), Lunghezza del transistor (Lt), Capacità dell'ossido (Cox) & Capacità di sovrapposizione (Cov) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Qual è la formula per trovare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione?
La formula di Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione è espressa come Gate Source Capacitance = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione). Ecco un esempio: 1.4E-5 = (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5).
Come calcolare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione?
Con Larghezza del transistor (Wt), Lunghezza del transistor (Lt), Capacità dell'ossido (Cox) & Capacità di sovrapposizione (Cov) possiamo trovare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione utilizzando la formula - Gate Source Capacitance = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione).
Il Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione può essere negativo?
NO, Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione, misurato in Capacità non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione?
Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione viene solitamente misurato utilizzando Microfarad[μF] per Capacità. Farad[μF], kilofarad[μF], Millifrad[μF] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione.
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