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Formula Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

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La caduta di tensione sullo stadio (IGBT) è la differenza di tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore quando l'IGBT è acceso. È materiale semiconduttore nel dispositivo. Controlla FAQs

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

V_ON(igbt) - Caduta di tensione sullo stadio (IGBT)?i_f(igbt) - Corrente diretta (IGBT)?R_ch(igbt) - Resistenza canale N (IGBT)?R_d(igbt) - Resistenza alla deriva (IGBT)?V_j1(igbt) - Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)?

Esempio di Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON con Valori.

Ecco come appare l'equazione Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON con unità.

Ecco come appare l'equazione Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON.

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

20.2533V = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON?

Primo passo Considera la formula

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V ON(igbt) = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

Passo successivo Converti unità

∴

V ON(igbt) = 0.0017A \cdot 10590Ω + 0.0017A \cdot 980Ω + 0.7V

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V ON(igbt) = 0.0017 \cdot 10590 + 0.0017 \cdot 980 + 0.7

Ultimo passo Valutare

∴

V ON(igbt) = 20.2533V

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON Formula Elementi

Variabili

Caduta di tensione sullo stadio (IGBT)

La caduta di tensione sullo stadio (IGBT) è la differenza di tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore quando l'IGBT è acceso. È materiale semiconduttore nel dispositivo.

Simbolo: V_ON(igbt)

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Caduta di tensione sullo stadio (IGBT)

Corrente diretta (IGBT)

La corrente diretta (IGBT) è la corrente massima che può fluire attraverso il dispositivo quando è acceso.

Simbolo: i_f(igbt)

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente diretta (IGBT)

Resistenza canale N (IGBT)

La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.

Simbolo: R_ch(igbt)

Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Resistenza canale N (IGBT)

Resistenza alla deriva (IGBT)

La resistenza alla deriva (IGBT) è la regione di deriva N del materiale semiconduttore nel dispositivo. La regione N-drift è uno spesso silicio drogato che separa il collettore dalla regione P-base.

Simbolo: R_d(igbt)

Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Resistenza alla deriva (IGBT)

Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)

La tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) è causata dalla potenziale barriera esistente sulla giunzione. Questa potenziale barriera è creata dalla diffusione dei portatori di carica attraverso la giunzione.

Simbolo: V_j1(igbt)

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)

Altre formule nella categoria IGBT

va Orario di spegnimento dell'IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

va Corrente dell'emettitore dell'IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

va Capacità di ingresso dell'IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

va Corrente di collettore continua nominale dell'IGBT

i f(igbt) = \frac{- V ce(igbt) + \sqrt{{(V ce(igbt))}^{2} + 4 \cdot R ce(igbt) \cdot (\frac{T jmax(igbt) - T c(igbt)}{R th(jc)(igbt)})}}{2 \cdot R ce(igbt)}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON?

Il valutatore Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON utilizza Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) per valutare Caduta di tensione sullo stadio (IGBT), La caduta di tensione nell'IGBT in stato ON è causata dalla resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo, nonché dalla resistenza dei fili di collegamento e di altri collegamenti interni. La caduta di tensione in un IGBT in stato attivo può essere ridotta utilizzando un dispositivo più grande con una resistenza in stato attivo inferiore. Un altro modo per ridurre la caduta di tensione è ridurre la corrente che scorre attraverso il dispositivo. Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) è indicato dal simbolo V_ON(igbt).

Come valutare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON, inserisci Corrente diretta (IGBT) (i_f(igbt)), Resistenza canale N (IGBT) (R_ch(igbt)), Resistenza alla deriva (IGBT) (R_d(igbt)) & Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

Qual è la formula per trovare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON?

La formula di Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON è espressa come Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT). Ecco un esempio: 18.59876 = 0.00169*10590+0.00169*0.98+0.7.

Come calcolare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON?

Con Corrente diretta (IGBT) (i_f(igbt)), Resistenza canale N (IGBT) (R_ch(igbt)), Resistenza alla deriva (IGBT) (R_d(igbt)) & Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) possiamo trovare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON utilizzando la formula - Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT).

Il Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON può essere negativo?

NO, Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON?

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON.

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