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Formula Atomi di impurità per unità di area

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L'impurità totale definisce le impurità che si mescolano in un atomo per unità di area in una base o la quantità di impurità aggiunta a un semiconduttore intrinseco varia il suo livello di conduttività. Controlla FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Impurità totale?D_n - Diffusione efficace?A - Area di giunzione della base dell'emettitore?q - Carica?n_i - Concentrazione intrinseca?I_c - Corrente del collettore?V_be - Emettitore di base di tensione?V_t - Tensione termica?

Esempio di Atomi di impurità per unità di area

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Atomi di impurità per unità di area con Valori.

Ecco come appare l'equazione Atomi di impurità per unità di area con unità.

Ecco come appare l'equazione Atomi di impurità per unità di area.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

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) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Circuiti integrati (IC) » fx Atomi di impurità per unità di area

Atomi di impurità per unità di area Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Atomi di impurità per unità di area?

Primo passo Considera la formula

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Passo successivo Converti unità

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Passo successivo Preparati a valutare

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Passo successivo Valutare

∴

Q b = 363831.258671893m²

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Atomi di impurità per unità di area Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Impurità totale

Simbolo: Q_b

Misurazione: La zonaUnità: cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Impurità totale

Diffusione efficace

La diffusione effettiva è un parametro relativo al processo di diffusione dei portatori ed è influenzata dalle proprietà del materiale e dalla geometria della giunzione del semiconduttore.

Simbolo: D_n

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Diffusione efficace

Area di giunzione della base dell'emettitore

L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.

Simbolo: A

Misurazione: La zonaUnità: cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Area di giunzione della base dell'emettitore

Carica

Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.

Simbolo: q

Misurazione: Carica elettricaUnità: mC

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Carica

Concentrazione intrinseca

La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

Simbolo: n_i

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione intrinseca

Corrente del collettore

La corrente di collettore è la corrente che scorre attraverso il terminale del collettore del transistor ed è la corrente che viene amplificata dal transistor.

Simbolo: I_c

Misurazione: Corrente elettricaUnità: A

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente del collettore

Emettitore di base di tensione

La tensione dell'emettitore base è la tensione tra la base e l'emettitore quando polarizzata direttamente, con il collettore disconnesso.

Simbolo: V_be

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Emettitore di base di tensione

Tensione termica

La tensione termica è la tensione creata dalla giunzione di metalli diversi quando esiste una differenza di temperatura tra queste giunzioni.

Simbolo: V_t

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione termica

exp

In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente.

Sintassi: exp(Number)

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va Impurezza con concentrazione intrinseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Conduttività ohmica delle impurità

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Vedi altro OpenImg

Come valutare Atomi di impurità per unità di area?

Il valutatore Atomi di impurità per unità di area utilizza Total Impurity = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica)) per valutare Impurità totale, La formula Atomi di impurità per unità di area è definita come la quantità di impurità, o drogante, aggiunta a un semiconduttore intrinseco (puro) che varia il suo livello di conduttività. Impurità totale è indicato dal simbolo Q_b.

Come valutare Atomi di impurità per unità di area utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Atomi di impurità per unità di area, inserisci Diffusione efficace (D_n), Area di giunzione della base dell'emettitore (A), Carica (q), Concentrazione intrinseca (n_i), Corrente del collettore (I_c), Emettitore di base di tensione (V_be) & Tensione termica (V_t) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Atomi di impurità per unità di area

Qual è la formula per trovare Atomi di impurità per unità di area?

La formula di Atomi di impurità per unità di area è espressa come Total Impurity = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica)). Ecco un esempio: 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

Come calcolare Atomi di impurità per unità di area?

Con Diffusione efficace (D_n), Area di giunzione della base dell'emettitore (A), Carica (q), Concentrazione intrinseca (n_i), Corrente del collettore (I_c), Emettitore di base di tensione (V_be) & Tensione termica (V_t) possiamo trovare Atomi di impurità per unità di area utilizzando la formula - Total Impurity = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica)). Questa formula utilizza anche le funzioni Crescita esponenziale (exp).

Il Atomi di impurità per unità di area può essere negativo?

NO, Atomi di impurità per unità di area, misurato in La zona non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Atomi di impurità per unità di area?

Atomi di impurità per unità di area viene solitamente misurato utilizzando Piazza Centimetro[cm²] per La zona. Metro quadrato[cm²], square Chilometre[cm²], Piazza millimetrica[cm²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Atomi di impurità per unità di area.

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