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Formula Assorbimento di corrente

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La corrente di drenaggio è definita come la corrente di sottosoglia che di solito è al di sotto della corrente di soglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source. Controlla FAQs

I D = μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W gate}{L g}) \cdot (V gs - V th) \cdot V ds

I_D - Assorbimento di corrente?μ_n - Mobilità dell'elettrone?C_ox - Capacità dell'ossido di gate?W_gate - Larghezza giunzione cancello?L_g - Lunghezza del cancello?V_gs - Tensione sorgente gate?V_th - Soglia di voltaggio?V_ds - Drain Source Tensione di saturazione?

Esempio di Assorbimento di corrente

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente con Valori.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente con unità.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente.

891 = 180 \cdot 75 \cdot (\frac{230}{2.3}) \cdot (1.25 - 0.7) \cdot 1.2

891mA = 180m²/V*s \cdot 75nF \cdot (\frac{230μm}{2.3nm}) \cdot (1.25V - 0.7V) \cdot 1.2V

891 = 180 \cdot 75 \cdot (\frac{230}{2.3}) \cdot (1.25 - 0.7) \cdot 1.2

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Assorbimento di corrente Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Assorbimento di corrente?

Primo passo Considera la formula

I D = μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W gate}{L g}) \cdot (V gs - V th) \cdot V ds

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I D = 180m²/V*s \cdot 75nF \cdot (\frac{230μm}{2.3nm}) \cdot (1.25V - 0.7V) \cdot 1.2V

Passo successivo Converti unità

∴

I D = 180m²/V*s \cdot 7.5E-8F \cdot (\frac{0.0002m}{2.3E-9m}) \cdot (1.25V - 0.7V) \cdot 1.2V

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I D = 180 \cdot 7.5E-8 \cdot (\frac{0.0002}{2.3E-9}) \cdot (1.25 - 0.7) \cdot 1.2

Passo successivo Valutare

∴

I D = 0.891A

Ultimo passo Converti nell'unità di output

∴

I D = 891mA

Assorbimento di corrente Formula Elementi

Variabili

Assorbimento di corrente

La corrente di drenaggio è definita come la corrente di sottosoglia che di solito è al di sotto della corrente di soglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.

Simbolo: I_D

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Mobilità dell'elettrone

La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.

Simbolo: μ_n

Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità dell'elettrone

Capacità dell'ossido di gate

La capacità di ossido di gate è la capacità di un componente o di un circuito di raccogliere e immagazzinare energia sotto forma di carica elettrica.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: nF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dell'ossido di gate

Larghezza giunzione cancello

La larghezza della giunzione del gate è definita come la larghezza della giunzione del gate in un dispositivo a semiconduttore.

Simbolo: W_gate

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza giunzione cancello

Lunghezza del cancello

La lunghezza del gate è semplicemente la lunghezza fisica del gate. La lunghezza del canale è il percorso che collega i portatori di carica tra lo scarico e la sorgente.

Simbolo: L_g

Misurazione: LunghezzaUnità: nm

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Lunghezza del cancello

Tensione sorgente gate

La tensione di gate source di un transistor è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione sorgente gate

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia del transistor è la minima tensione gate-source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.

Simbolo: V_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Drain Source Tensione di saturazione

Drain Source Saturation Voltage è la differenza di tensione tra l'emettitore e il terminale del collettore necessaria per accendere un MOSFET.

Simbolo: V_ds

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Drain Source Tensione di saturazione

Altre formule nella categoria Parametri operativi del transistor

va Corrente di emettitore

I e = I b + I c

va Fattore di amplificazione corrente

α = \frac{I c}{I e}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Assorbimento di corrente?

Il valutatore Assorbimento di corrente utilizza Drain Current = Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido di gate*(Larghezza giunzione cancello/Lunghezza del cancello)*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Drain Source Tensione di saturazione per valutare Assorbimento di corrente, La corrente di drenaggio è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source al di sotto della tensione di soglia. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo I_D.

Come valutare Assorbimento di corrente utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Assorbimento di corrente, inserisci Mobilità dell'elettrone (μ_n), Capacità dell'ossido di gate (C_ox), Larghezza giunzione cancello (W_gate), Lunghezza del cancello (L_g), Tensione sorgente gate (V_gs), Soglia di voltaggio (V_th) & Drain Source Tensione di saturazione (V_ds) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Assorbimento di corrente

Qual è la formula per trovare Assorbimento di corrente?

La formula di Assorbimento di corrente è espressa come Drain Current = Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido di gate*(Larghezza giunzione cancello/Lunghezza del cancello)*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Drain Source Tensione di saturazione. Ecco un esempio: 891000 = 180*7.5E-08*(0.00023/2.3E-09)*(1.25-0.7)*1.2.

Come calcolare Assorbimento di corrente?

Con Mobilità dell'elettrone (μ_n), Capacità dell'ossido di gate (C_ox), Larghezza giunzione cancello (W_gate), Lunghezza del cancello (L_g), Tensione sorgente gate (V_gs), Soglia di voltaggio (V_th) & Drain Source Tensione di saturazione (V_ds) possiamo trovare Assorbimento di corrente utilizzando la formula - Drain Current = Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido di gate*(Larghezza giunzione cancello/Lunghezza del cancello)*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Drain Source Tensione di saturazione.

Il Assorbimento di corrente può essere negativo?

NO, Assorbimento di corrente, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Assorbimento di corrente?

Assorbimento di corrente viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Assorbimento di corrente.

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