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Formula Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd Formula

vaCorrente di scarico complessiva del transistor PMOS Formula

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La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET). Controlla FAQs

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

I_d - Assorbimento di corrente?k'_p - Parametro di transconduttanza di processo in PMOS?WL - Proporzioni?V_GS - Tensione tra Gate e Source?V_T - Soglia di voltaggio?V_DS - Tensione tra Drain e Source?

Esempio di Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS.

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

28.8635mA = 2.1mS \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

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Elettronica analogica » fx Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS?

Primo passo Considera la formula

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I d = 2.1mS \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

Passo successivo Converti unità

∴

I d = 0.0021S \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I d = 0.0021 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

Passo successivo Valutare

∴

I d = 0.02886345A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

I d = 28.86345mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

I d = 28.8635mA

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Assorbimento di corrente

Simbolo: I_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS

Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.

Simbolo: k'_p

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo in PMOS

Proporzioni

Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

Simbolo: WL

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Proporzioni

Tensione tra Gate e Source

La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.

Simbolo: V_GS

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione tra Gate e Source

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_T

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Tensione tra Drain e Source

La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS.

Simbolo: V_DS

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione tra Drain e Source

modulus

Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero.

Sintassi: modulus

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

va Corrente nel canale di inversione del PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

va Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

va Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

va Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

V y = μ p \cdot E y

Vedi altro OpenImg

Come valutare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS?

Il valutatore Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS utilizza Drain Current = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2) per valutare Assorbimento di corrente, La corrente di Drain nella regione del triodo del transistor PMOS dove la sorgente è la piccola tensione e il drain è la tensione più grande (sono intercambiabili). Nel transistor PMOS i fori sono i portatori di carica e la corrente scorre a causa dei fori. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo I_d.

Come valutare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS, inserisci Parametro di transconduttanza di processo in PMOS (k'_p), Proporzioni (WL), Tensione tra Gate e Source (V_GS), Soglia di voltaggio (V_T) & Tensione tra Drain e Source (V_DS) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Qual è la formula per trovare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS?

La formula di Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS è espressa come Drain Current = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2). Ecco un esempio: 28863.45 = 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2).

Come calcolare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS?

Con Parametro di transconduttanza di processo in PMOS (k'_p), Proporzioni (WL), Tensione tra Gate e Source (V_GS), Soglia di voltaggio (V_T) & Tensione tra Drain e Source (V_DS) possiamo trovare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS utilizzando la formula - Drain Current = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2). Questa formula utilizza anche le funzioni Modulo (modulo).

Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente?

Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

Il Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS può essere negativo?

NO, Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS?

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS.

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Formula Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

​vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd Formula

​vaCorrente di scarico complessiva del transistor PMOS Formula

Esempio di Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Soluzione

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Formula Elementi

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

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vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd Formula

vaCorrente di scarico complessiva del transistor PMOS Formula