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La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET). Controlla FAQs
Id=(WQpμpEy)
Id - Assorbimento di corrente?W - Larghezza della giunzione?Qp - Carica dello strato di inversione?μp - Mobilità dei fori nel canale?Ey - Componente orizzontale del campo elettrico nel canale?

Esempio di Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico con Valori.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico con unità.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico.

29.5965Edit=(1.19Edit0.0017Edit2.66Edit5.5Edit)
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Elettronica analogica » fx Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico?

Primo passo Considera la formula
Id=(WQpμpEy)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Id=(1.19m0.0017C/m²2.66m²/V*s5.5V/m)
Passo successivo Preparati a valutare
Id=(1.190.00172.665.5)
Passo successivo Valutare
Id=0.02959649A
Passo successivo Converti nell'unità di output
Id=29.59649mA
Ultimo passo Risposta arrotondata
Id=29.5965mA

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico Formula Elementi

Variabili
Assorbimento di corrente
La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Simbolo: Id
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Larghezza della giunzione
La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.
Simbolo: W
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Carica dello strato di inversione
La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Simbolo: Qp
Misurazione: Densità di carica superficialeUnità: C/m²
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Mobilità dei fori nel canale
La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,
Simbolo: μp
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Componente orizzontale del campo elettrico nel canale
La componente orizzontale del campo elettrico nel canale è l'intensità del campo elettrico esistente nel materiale sotto lo strato di ossido di gate, nella regione in cui si forma lo strato di inversione.
Simbolo: Ey
Misurazione: Intensità del campo elettricoUnità: V/m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

​va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS
Id=k'pWL((VGS-modu̲s(VT))VDS-12(VDS)2)
​va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd
Id=k'pWL(modu̲s(Vov)-12VDS)VDS
​va Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS
Id=12k'pWL(VGS-modu̲s(VT))2(1+VDSmodu̲s(Va))
​va Corrente nel canale di inversione del PMOS
Id=(WQpVy)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

​va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS
Ids=12k'pWL(VGS-modu̲s(VT))2
​va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov
Ids=12k'pWL(Vov)2
​va Parametro di transconduttanza di processo di PMOS
k'p=μpCox
​va Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità
Vy=μpEy

Come valutare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico?

Il valutatore Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico utilizza Drain Current = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale) per valutare Assorbimento di corrente, La corrente di Drain dalla sorgente al drain nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov, la corrente di drain prima aumenta linearmente con la tensione drain-to-source applicata, ma poi raggiunge un valore massimo. Uno strato di esaurimento situato all'estremità di drain del gate ospita la tensione aggiuntiva tra drain e source. Questo comportamento viene definito saturazione della corrente di drain. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo Id.

Come valutare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico, inserisci Larghezza della giunzione (W), Carica dello strato di inversione (Qp), Mobilità dei fori nel canale p) & Componente orizzontale del campo elettrico nel canale (Ey) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Qual è la formula per trovare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico?
La formula di Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico è espressa come Drain Current = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale). Ecco un esempio: 29596.49 = (1.19*0.0017*2.66*5.5).
Come calcolare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico?
Con Larghezza della giunzione (W), Carica dello strato di inversione (Qp), Mobilità dei fori nel canale p) & Componente orizzontale del campo elettrico nel canale (Ey) possiamo trovare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico utilizzando la formula - Drain Current = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale).
Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente?
Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente-
  • Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)OpenImg
  • Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and SourceOpenImg
  • Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))OpenImg
Il Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico può essere negativo?
NO, Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico?
Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico.
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