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Formula Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

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La corrente di drain di saturazione è un parametro importante nella progettazione Controlla FAQs

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

I_d(sat) - Corrente di scarico di saturazione?k'_p - Transconduttanza di processo in PMOS?W_c - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?V_eff - Tensione effettiva?

Esempio di Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET?

Primo passo Considera la formula

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

Passo successivo Converti unità

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot {(1.7V)}^{2}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot {(1.7)}^{2}

Passo successivo Valutare

∴

I d(sat) = 8.381E-05A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

I d(sat) = 0.08381mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

I d(sat) = 0.0838mA

Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET Formula Elementi

Variabili

Corrente di scarico di saturazione

La corrente di drain di saturazione è un parametro importante nella progettazione

Simbolo: I_d(sat)

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente di scarico di saturazione

Transconduttanza di processo in PMOS

La transconduttanza di processo in PMOS si riferisce al guadagno di un transistor PMOS rispetto alla sua tensione gate-source.

Simbolo: k'_p

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Transconduttanza di processo in PMOS

Larghezza del canale

La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del canale

Lunghezza del canale

La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).

Simbolo: L

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del canale

Tensione effettiva

La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

Simbolo: V_eff

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione effettiva

Altre formule nella categoria Attuale

va Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

va Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET?

Il valutatore Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET utilizza Saturation Drain Current = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2 per valutare Corrente di scarico di saturazione, La corrente di saturazione Drain del MOSFET qui "saturazione" nei MOSFET significa che il cambiamento in V. Corrente di scarico di saturazione è indicato dal simbolo I_d(sat).

Come valutare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET, inserisci Transconduttanza di processo in PMOS (k'_p), Larghezza del canale (W_c), Lunghezza del canale (L) & Tensione effettiva (V_eff) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

Qual è la formula per trovare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET?

La formula di Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET è espressa come Saturation Drain Current = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2. Ecco un esempio: 83.81 = 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2.

Come calcolare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET?

Con Transconduttanza di processo in PMOS (k'_p), Larghezza del canale (W_c), Lunghezza del canale (L) & Tensione effettiva (V_eff) possiamo trovare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET utilizzando la formula - Saturation Drain Current = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2.

Il Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET può essere negativo?

NO, Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET?

Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET.

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Esempio di Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

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