Regione di saturazione Abbassa corrente
La corrente di pull down della regione di saturazione è la corrente che attraversa il resistore quando un resistore di pull down viene utilizzato con un MOSFET a canale N in modalità Saturazione.
Simbolo: ID(sat)
Misurazione: Corrente elettricaUnità: A
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Numero di transistor del driver parallelo
Il numero di transistor del driver parallelo si riferisce al numero di transistor del driver parallelo nel circuito.
Simbolo: n
Misurazione: NAUnità: Unitless
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Mobilità elettronica
La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.
Simbolo: μn
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Capacità dell'ossido
La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Larghezza del canale
La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Simbolo: W
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione della sorgente di gate
La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.
Simbolo: VGS
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.