Formula Abbassa la corrente nella regione di saturazione

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La corrente di pull down della regione di saturazione è la corrente che attraversa il resistore quando un resistore di pull down viene utilizzato con un MOSFET a canale N in modalità Saturazione. Controlla FAQs
ID(sat)=(x,0,n,(μnCox2)(WL)(VGS-VT)2)
ID(sat) - Regione di saturazione Abbassa corrente?n - Numero di transistor del driver parallelo?μn - Mobilità elettronica?Cox - Capacità dell'ossido?W - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?VGS - Tensione della sorgente di gate?VT - Soglia di voltaggio?

Esempio di Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Abbassa la corrente nella regione di saturazione con Valori.

Ecco come appare l'equazione Abbassa la corrente nella regione di saturazione con unità.

Ecco come appare l'equazione Abbassa la corrente nella regione di saturazione.

101550.1189Edit=(x,0,11Edit,(9.92Edit3.9Edit2)(2.678Edit3.45Edit)(29.65Edit-5.91Edit)2)
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Abbassa la corrente nella regione di saturazione Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Abbassa la corrente nella regione di saturazione?

Primo passo Considera la formula
ID(sat)=(x,0,n,(μnCox2)(WL)(VGS-VT)2)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
ID(sat)=(x,0,11,(9.92m²/V*s3.9F2)(2.678m3.45m)(29.65V-5.91V)2)
Passo successivo Preparati a valutare
ID(sat)=(x,0,11,(9.923.92)(2.6783.45)(29.65-5.91)2)
Passo successivo Valutare
ID(sat)=101550.118939559A
Ultimo passo Risposta arrotondata
ID(sat)=101550.1189A

Abbassa la corrente nella regione di saturazione Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Regione di saturazione Abbassa corrente
La corrente di pull down della regione di saturazione è la corrente che attraversa il resistore quando un resistore di pull down viene utilizzato con un MOSFET a canale N in modalità Saturazione.
Simbolo: ID(sat)
Misurazione: Corrente elettricaUnità: A
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Numero di transistor del driver parallelo
Il numero di transistor del driver parallelo si riferisce al numero di transistor del driver parallelo nel circuito.
Simbolo: n
Misurazione: NAUnità: Unitless
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Mobilità elettronica
La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.
Simbolo: μn
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Capacità dell'ossido
La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Larghezza del canale
La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Simbolo: W
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione della sorgente di gate
La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.
Simbolo: VGS
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
sum
La notazione di sommatoria o sigma (∑) è un metodo utilizzato per scrivere una somma lunga in modo conciso.
Sintassi: sum(i, from, to, expr)

Altre formule nella categoria Transistor MOS

​va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Cjsw=Cj0swxj
​va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Ceq(sw)=PCjswKeq(sw)

Come valutare Abbassa la corrente nella regione di saturazione?

Il valutatore Abbassa la corrente nella regione di saturazione utilizza Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2) per valutare Regione di saturazione Abbassa corrente, La formula Corrente di pull down nella regione di saturazione è definita come la corrente che attraversa il resistore quando viene utilizzato un resistore di pull down con un MOSFET a canale N in modalità Saturazione. Regione di saturazione Abbassa corrente è indicato dal simbolo ID(sat).

Come valutare Abbassa la corrente nella regione di saturazione utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Abbassa la corrente nella regione di saturazione, inserisci Numero di transistor del driver parallelo (n), Mobilità elettronica n), Capacità dell'ossido (Cox), Larghezza del canale (W), Lunghezza del canale (L), Tensione della sorgente di gate (VGS) & Soglia di voltaggio (VT) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Qual è la formula per trovare Abbassa la corrente nella regione di saturazione?
La formula di Abbassa la corrente nella regione di saturazione è espressa come Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2). Ecco un esempio: 101550.1 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2).
Come calcolare Abbassa la corrente nella regione di saturazione?
Con Numero di transistor del driver parallelo (n), Mobilità elettronica n), Capacità dell'ossido (Cox), Larghezza del canale (W), Lunghezza del canale (L), Tensione della sorgente di gate (VGS) & Soglia di voltaggio (VT) possiamo trovare Abbassa la corrente nella regione di saturazione utilizzando la formula - Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2). Questa formula utilizza anche le funzioni Notazione di sommatoria (somma).
Il Abbassa la corrente nella regione di saturazione può essere negativo?
SÌ, Abbassa la corrente nella regione di saturazione, misurato in Corrente elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Abbassa la corrente nella regione di saturazione?
Abbassa la corrente nella regione di saturazione viene solitamente misurato utilizzando Ampere[A] per Corrente elettrica. Millampere[A], microampere[A], Centiampere[A] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Abbassa la corrente nella regione di saturazione.
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