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NMOS में शारीरिक प्रभाव फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

थ्रेशोल्ड वोल्टेज में परिवर्तन विभिन्न कारकों के कारण हो सकता है, जिसमें तापमान में परिवर्तन, विकिरण जोखिम और उम्र बढ़ने शामिल हैं। FAQs जांचें

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन?V_T - सीमा वोल्टेज?γ - निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर?φ_f - भौतिक पैरामीटर?V_SB - शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज?

NMOS में शारीरिक प्रभाव उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

NMOS में शारीरिक प्रभाव समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS में शारीरिक प्रभाव समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS में शारीरिक प्रभाव समीकरण जैसा दिखता है।

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx NMOS में शारीरिक प्रभाव

NMOS में शारीरिक प्रभाव समाधान

NMOS में शारीरिक प्रभाव की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

ΔV th = 37.2244V

NMOS में शारीरिक प्रभाव FORMULA तत्वों

चर

कार्य

दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन

थ्रेशोल्ड वोल्टेज में परिवर्तन विभिन्न कारकों के कारण हो सकता है, जिसमें तापमान में परिवर्तन, विकिरण जोखिम और उम्र बढ़ने शामिल हैं।

प्रतीक: ΔV_th

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन खोजने के लिए सूत्र

सीमा वोल्टेज

थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

प्रतीक: V_T

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सीमा वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर वह प्रक्रिया है जो सिलिकॉन सब्सट्रेट के ऑक्सीकरण से शुरू होती है जिसमें सतह पर अपेक्षाकृत मोटी ऑक्साइड परत जमा होती है।

प्रतीक: γ

माप: NAइकाई: Unitless

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

भौतिक पैरामीटर

भौतिक मापदंडों का उपयोग किसी भौतिक प्रणाली की स्थिति या स्थिति का वर्णन करने के लिए किया जा सकता है, या जिस तरह से सिस्टम विभिन्न उत्तेजनाओं या इनपुट का जवाब देता है, उसे चिह्नित करने के लिए।

प्रतीक: φ_f

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

भौतिक पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज

शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज महत्वपूर्ण है क्योंकि इसका इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के सुरक्षित संचालन पर प्रभाव पड़ सकता है।

प्रतीक: V_SB

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

v d = μ n \cdot E L

जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

जाना NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

और देखें

NMOS में शारीरिक प्रभाव का मूल्यांकन कैसे करें?

NMOS में शारीरिक प्रभाव मूल्यांकनकर्ता दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन, NMOS में बॉडी इफेक्ट ट्रांजिस्टर स्रोत और बॉडी के बीच वोल्टेज अंतर के परिणामस्वरूप ट्रांजिस्टर थ्रेशोल्ड वोल्टेज में परिवर्तन को संदर्भित करता है। का मूल्यांकन करने के लिए Change in Threshold Voltage = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर)) का उपयोग करता है। दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन को ΔV_th प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके NMOS में शारीरिक प्रभाव का मूल्यांकन कैसे करें? NMOS में शारीरिक प्रभाव के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, सीमा वोल्टेज (V_T), निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर (γ), भौतिक पैरामीटर (φ_f) & शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_SB) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर NMOS में शारीरिक प्रभाव

NMOS में शारीरिक प्रभाव ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

NMOS में शारीरिक प्रभाव का सूत्र Change in Threshold Voltage = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

NMOS में शारीरिक प्रभाव की गणना कैसे करें?

सीमा वोल्टेज (V_T), निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर (γ), भौतिक पैरामीटर (φ_f) & शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_SB) के साथ हम NMOS में शारीरिक प्रभाव को सूत्र - Change in Threshold Voltage = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या NMOS में शारीरिक प्रभाव ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया NMOS में शारीरिक प्रभाव ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

NMOS में शारीरिक प्रभाव को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

NMOS में शारीरिक प्रभाव को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें NMOS में शारीरिक प्रभाव को मापा जा सकता है।

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