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NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे सैचुरेशन ड्रेन करंट को सब थ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है और गेट से सोर्स वोल्टेज के साथ घातीय रूप से भिन्न होता है। FAQs जांचें

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

I_ds - संतृप्ति नाली वर्तमान?k'_n - NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर?W_c - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?V_ov - NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया समीकरण जैसा दिखता है।

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

239.7013mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

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NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया समाधान

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(8.48V)}^{2}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(8.48)}^{2}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I ds = 0.239701333333333A

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I ds = 239.701333333333mA

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

I ds = 239.7013mA

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया FORMULA तत्वों

चर

संतृप्ति नाली वर्तमान

थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे सैचुरेशन ड्रेन करंट को सब थ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है और गेट से सोर्स वोल्टेज के साथ घातीय रूप से भिन्न होता है।

प्रतीक: I_ds

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

संतृप्ति नाली वर्तमान खोजने के लिए सूत्र

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।

प्रतीक: k'_n

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

चैनल की चौड़ाई

चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।

प्रतीक: W_c

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल की चौड़ाई खोजने के लिए सूत्र

चैनल की लंबाई

चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।

प्रतीक: L

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल की लंबाई खोजने के लिए सूत्र

NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज

NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज आमतौर पर एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक होता है।

प्रतीक: V_ov

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

v d = μ n \cdot E L

जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

जाना NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

और देखें

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया का मूल्यांकन कैसे करें?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया मूल्यांकनकर्ता संतृप्ति नाली वर्तमान, NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन-सोर्स को प्रभावी वोल्टेज ड्रेन करंट दिया जाता है, जो पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक रिक्तीकरण परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को ड्रेन करंट सैचुरेशन कहा जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Saturation Drain Current = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज)^2 का उपयोग करता है। संतृप्ति नाली वर्तमान को I_ds प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया का मूल्यांकन कैसे करें? NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L) & NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया का सूत्र Saturation Drain Current = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज)^2 के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2.

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया की गणना कैसे करें?

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L) & NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) के साथ हम NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया को सूत्र - Saturation Drain Current = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज)^2 का उपयोग करके पा सकते हैं।

क्या NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया को मापा जा सकता है।

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NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया उदाहरण

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया समाधान

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया FORMULA तत्वों

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

FAQs पर NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया

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