NMOS का ऑक्साइड समाई फॉर्मूला

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ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। FAQs जांचें
Cox=3.4510-11tox
Cox - ऑक्साइड क्षमता?tox - ऑक्साइड की मोटाई?

NMOS का ऑक्साइड समाई उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

NMOS का ऑक्साइड समाई समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS का ऑक्साइड समाई समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS का ऑक्साइड समाई समीकरण जैसा दिखता है।

2.0294Edit=3.4510-1117Edit
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NMOS का ऑक्साइड समाई समाधान

NMOS का ऑक्साइड समाई की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Cox=3.4510-11tox
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
Cox=3.4510-1117μm
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
Cox=3.4510-111.7E-5m
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
Cox=3.4510-111.7E-5
अगला कदम मूल्यांकन करना
Cox=2.02941176470588E-06F
अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
Cox=2.02941176470588μF
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
Cox=2.0294μF

NMOS का ऑक्साइड समाई FORMULA तत्वों

चर
ऑक्साइड क्षमता
ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
प्रतीक: Cox
माप: समाईइकाई: μF
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
ऑक्साइड की मोटाई
ऑक्साइड की मोटाई ऑक्साइड सामग्री की एक पतली परत की मोटाई को संदर्भित करती है जो एक सब्सट्रेट की सतह पर बनती है, आमतौर पर सिलिकॉन जैसी अर्धचालक सामग्री।
प्रतीक: tox
माप: लंबाईइकाई: μm
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग
vd=μnEL
​जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में
rDS=LμnCoxWc(Vgs-VT)
​जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12Vds2)
​जाना NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12(Vds)2)

NMOS का ऑक्साइड समाई का मूल्यांकन कैसे करें?

NMOS का ऑक्साइड समाई मूल्यांकनकर्ता ऑक्साइड क्षमता, एनएमओएस (कॉक्स) का ऑक्साइड कैपेसिटेंस, एन-एन्हांसमेंट टाइप मॉस्फेट के पैरेलल-प्लेट कैपेसिटर की कैपेसिटेंस है। यह ऑक्साइड परत की मोटाई के व्युत्क्रमानुपाती होता है। का मूल्यांकन करने के लिए Oxide Capacitance = (3.45*10^(-11))/ऑक्साइड की मोटाई का उपयोग करता है। ऑक्साइड क्षमता को Cox प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके NMOS का ऑक्साइड समाई का मूल्यांकन कैसे करें? NMOS का ऑक्साइड समाई के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, ऑक्साइड की मोटाई (tox) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर NMOS का ऑक्साइड समाई

NMOS का ऑक्साइड समाई ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
NMOS का ऑक्साइड समाई का सूत्र Oxide Capacitance = (3.45*10^(-11))/ऑक्साइड की मोटाई के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 2E+6 = (3.45*10^(-11))/1.7E-05.
NMOS का ऑक्साइड समाई की गणना कैसे करें?
ऑक्साइड की मोटाई (tox) के साथ हम NMOS का ऑक्साइड समाई को सूत्र - Oxide Capacitance = (3.45*10^(-11))/ऑक्साइड की मोटाई का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या NMOS का ऑक्साइड समाई ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, समाई में मापा गया NMOS का ऑक्साइड समाई ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
NMOS का ऑक्साइड समाई को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
NMOS का ऑक्साइड समाई को आम तौर पर समाई के लिए माइक्रोफ़ारड[μF] का उपयोग करके मापा जाता है। फैरड[μF], किलोफ़ारैड[μF], मिलिफाराडी[μF] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें NMOS का ऑक्साइड समाई को मापा जा सकता है।
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