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MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज फॉर्मूला

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प्रभावी वोल्टेज या ओवरड्राइव वोल्टेज, थर्मल वोल्टेज पर ऑक्साइड के पार वोल्टेज की अधिकता को कहा जाता है। FAQs जांचें

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

V_ov - प्रभावी वोल्टेज?i_ds - संतृप्ति नाली धारा?k'_n - प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर?W_c - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज समीकरण जैसा दिखता है।

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

0.1229V = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

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MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज समाधान

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047A}{0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m})}}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047}{0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6})}}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

V ov = 0.122949186508306V

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

V ov = 0.1229V

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज FORMULA तत्वों

चर

कार्य

प्रभावी वोल्टेज

प्रभावी वोल्टेज या ओवरड्राइव वोल्टेज, थर्मल वोल्टेज पर ऑक्साइड के पार वोल्टेज की अधिकता को कहा जाता है।

प्रतीक: V_ov

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

प्रभावी वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

संतृप्ति नाली धारा

संतृप्ति नाली धारा को सबथ्रेशोल्ड धारा के रूप में परिभाषित किया गया है और यह गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से भिन्न होता है।

प्रतीक: i_ds

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

संतृप्ति नाली धारा खोजने के लिए सूत्र

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर चैनल और ऑक्साइड कैपेसिटेंस में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता का उत्पाद है।

प्रतीक: k'_n

माप: ट्रांसकंडक्शन पैरामीटरइकाई: A/V²

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

चैनल की चौड़ाई

चैनल की चौड़ाई MOSFET के चैनल का आयाम है।

प्रतीक: W_c

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

चैनल की चौड़ाई खोजने के लिए सूत्र

चैनल की लंबाई

चैनल की लंबाई, एल, जो दो -पी जंक्शनों के बीच की दूरी है।

प्रतीक: L

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

चैनल की लंबाई खोजने के लिए सूत्र

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर विशेषताएँ श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना कुल तात्कालिक नाली वोल्टेज

V d = V fc - R d \cdot i d

जाना ट्रांजिस्टर में प्रेरित चैनल के माध्यम से बहने वाली धारा को ऑक्साइड वोल्टेज दिया जाता है

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

जाना संतृप्ति पर MOSFET के वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

जाना ट्रांजिस्टर में इनपुट वोल्टेज

V fc = R d \cdot i d - V d

और देखें

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज का मूल्यांकन कैसे करें?

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज मूल्यांकनकर्ता प्रभावी वोल्टेज, MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज सर्किट पथ के साथ किसी भी वोल्टेज ड्रॉप को ध्यान में रखते हुए, किसी डिवाइस या सिस्टम पर लागू वोल्टेज है। का मूल्यांकन करने के लिए Effective Voltage = sqrt(2*संतृप्ति नाली धारा/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई))) का उपयोग करता है। प्रभावी वोल्टेज को V_ov प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज का मूल्यांकन कैसे करें? MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, संतृप्ति नाली धारा (i_ds), प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c) & चैनल की लंबाई (L) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज का सूत्र Effective Voltage = sqrt(2*संतृप्ति नाली धारा/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई))) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 0.122949 = sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06))).

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज की गणना कैसे करें?

संतृप्ति नाली धारा (i_ds), प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c) & चैनल की लंबाई (L) के साथ हम MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज को सूत्र - Effective Voltage = sqrt(2*संतृप्ति नाली धारा/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई))) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज को मापा जा सकता है।

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MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज फॉर्मूला

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