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MOSFET की संक्रमण आवृत्ति फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

संक्रमण आवृत्ति एक शब्द है जो उस दर या आवृत्ति का वर्णन करता है जिस पर एक राज्य से दूसरे राज्य में परिवर्तन या संक्रमण होता है। FAQs जांचें

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

f_t - संक्रमण आवृत्ति?g_m - transconductance?C_sg - स्रोत गेट कैपेसिटेंस?C_gd - गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस?π - आर्किमिडीज़ का स्थिरांक?

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति समीकरण जैसा दिखता है।

5.2492 = \frac{0.5}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16 + 7)}

5.2492Hz = \frac{0.5mS}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16μF + 7μF)}

5.2492 = \frac{0.5}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16 + 7)}

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एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx MOSFET की संक्रमण आवृत्ति

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति समाधान

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

f t = \frac{0.5mS}{2 \cdot π \cdot (8.16μF + 7μF)}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

f t = \frac{0.5mS}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16μF + 7μF)}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

f t = \frac{0.0005S}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

f t = \frac{0.0005}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

f t = 5.24917358482504Hz

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

f t = 5.2492Hz

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

संक्रमण आवृत्ति

संक्रमण आवृत्ति एक शब्द है जो उस दर या आवृत्ति का वर्णन करता है जिस पर एक राज्य से दूसरे राज्य में परिवर्तन या संक्रमण होता है।

प्रतीक: f_t

माप: आवृत्तिइकाई: Hz

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

संक्रमण आवृत्ति खोजने के लिए सूत्र

transconductance

ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।

प्रतीक: g_m

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

transconductance खोजने के लिए सूत्र

स्रोत गेट कैपेसिटेंस

स्रोत गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और गेट इलेक्ट्रोड के बीच कैपेसिटेंस का एक माप है।

प्रतीक: C_sg

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्रोत गेट कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और ड्रेन इलेक्ट्रोड के बीच मौजूद होता है।

प्रतीक: C_gd

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

आर्किमिडीज़ का स्थिरांक

आर्किमिडीज़ स्थिरांक एक गणितीय स्थिरांक है जो एक वृत्त की परिधि और उसके व्यास के अनुपात को दर्शाता है।

प्रतीक: π

कीमत: 3.14159265358979323846264338327950288

आंतरिक कैपेसिटिव प्रभाव और उच्च आवृत्ति मॉडल श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना बायस प्वाइंट पर अधिकतम वोल्टेज लाभ

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

जाना सभी वोल्टेज को देखते हुए अधिकतम वोल्टेज लाभ

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

जाना वोल्टेज गेन ने ड्रेन वोल्टेज दिया

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

जाना वोल्टेज लाभ MOSFET का भार प्रतिरोध दिया गया

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

और देखें

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति का मूल्यांकन कैसे करें?

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति मूल्यांकनकर्ता संक्रमण आवृत्ति, MOSFET सूत्र की संक्रमण आवृत्ति को एक ट्रांजिस्टर की उच्च-आवृत्ति परिचालन विशेषताओं के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। किसी परमाणु की अतिसूक्ष्म संरचना ऊर्जा अवस्थाओं के बीच संक्रमण से जुड़ी विकिरण की आवृत्ति। का मूल्यांकन करने के लिए Transition Frequency = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करता है। संक्रमण आवृत्ति को f_t प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके MOSFET की संक्रमण आवृत्ति का मूल्यांकन कैसे करें? MOSFET की संक्रमण आवृत्ति के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, transconductance (g_m), स्रोत गेट कैपेसिटेंस (C_sg) & गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर MOSFET की संक्रमण आवृत्ति

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति का सूत्र Transition Frequency = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 5.249174 = 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06)).

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति की गणना कैसे करें?

transconductance (g_m), स्रोत गेट कैपेसिटेंस (C_sg) & गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) के साथ हम MOSFET की संक्रमण आवृत्ति को सूत्र - Transition Frequency = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र आर्किमिडीज़ का स्थिरांक का भी उपयोग करता है.

क्या MOSFET की संक्रमण आवृत्ति ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, आवृत्ति में मापा गया MOSFET की संक्रमण आवृत्ति ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति को आम तौर पर आवृत्ति के लिए हेटर्स[Hz] का उपयोग करके मापा जाता है। पेटाहर्ट्ज़[Hz], टेराहर्ट्ज़[Hz], गीगाहर्ट्ज़[Hz] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें MOSFET की संक्रमण आवृत्ति को मापा जा सकता है।

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MOSFET की संक्रमण आवृत्ति फॉर्मूला

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