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FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

गेट स्रोत धारिता (FET) एक FET के गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच धारिता है। FAQs जांचें

C gs(fet) = \frac{T gs-off(fet)}{{(1 - (\frac{V ds(fet)}{Ψ 0(fet)}))}^{\frac{1}{3}}}

C_gs(fet) - गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET?T_gs-off(fet) - गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET?V_ds(fet) - नाली स्रोत वोल्टेज FET?Ψ_0(fet) - सतही विभव FET?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस समीकरण जैसा दिखता है।

6.8057 = \frac{2.234}{{(1 - (\frac{4.8}{4.976}))}^{\frac{1}{3}}}

6.8057F = \frac{2.234s}{{(1 - (\frac{4.8V}{4.976V}))}^{\frac{1}{3}}}

6.8057 = \frac{2.234}{{(1 - (\frac{4.8}{4.976}))}^{\frac{1}{3}}}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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बिजली के इलेक्ट्रॉनिक्स » fx FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस समाधान

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

C gs(fet) = \frac{T gs-off(fet)}{{(1 - (\frac{V ds(fet)}{Ψ 0(fet)}))}^{\frac{1}{3}}}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

C gs(fet) = \frac{2.234s}{{(1 - (\frac{4.8V}{4.976V}))}^{\frac{1}{3}}}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

C gs(fet) = \frac{2.234}{{(1 - (\frac{4.8}{4.976}))}^{\frac{1}{3}}}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

C gs(fet) = 6.80569376657684F

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

C gs(fet) = 6.8057F

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस FORMULA तत्वों

चर

गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET

गेट स्रोत धारिता (FET) एक FET के गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच धारिता है।

प्रतीक: C_gs(fet)

माप: समाईइकाई: F

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET खोजने के लिए सूत्र

गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET

गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-सोर्स कैपेसिटेंस को डिस्चार्ज करने के लिए आवश्यक समय को संदर्भित करता है, जो स्विचिंग गति और पावर दक्षता को नियंत्रित करने के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है।

प्रतीक: T_gs-off(fet)

माप: समयइकाई: s

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET खोजने के लिए सूत्र

नाली स्रोत वोल्टेज FET

ड्रेन स्रोत वोल्टेज FET, FET के ड्रेन और स्रोत टर्मिनल के बीच का वोल्टेज है।

प्रतीक: V_ds(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

नाली स्रोत वोल्टेज FET खोजने के लिए सूत्र

सतही विभव FET

सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।

प्रतीक: Ψ_0(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सतही विभव FET खोजने के लिए सूत्र

एफईटी श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना FET का वोल्टेज बंद करें

V off(fet) = V ds-off(fet) - V ds(fet)

जाना एफईटी का ड्रेन करंट

I d(fet) = I dss(fet) \cdot {(1 - \frac{V ds(fet)}{V cut-off(fet)})}^{2}

जाना एफईटी का ट्रांसकंडक्टेंस

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

जाना एफईटी का ड्रेन सोर्स वोल्टेज

V ds(fet) = V dd(fet) - I d(fet) \cdot (R d(fet) + R s(fet))

और देखें

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस मूल्यांकनकर्ता गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET, FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस, FET के गेट और सोर्स टर्मिनल के बीच की कैपेसिटेंस है। यह ऑक्साइड की पतली परत के कारण होता है जो गेट को चैनल से अलग रखता है। का मूल्यांकन करने के लिए Gate Source Capacitance FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3) का उपयोग करता है। गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET को C_gs(fet) प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें? FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gs-off(fet)), नाली स्रोत वोल्टेज FET (V_ds(fet)) & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस का सूत्र Gate Source Capacitance FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 6.805694 = 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3).

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gs-off(fet)), नाली स्रोत वोल्टेज FET (V_ds(fet)) & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) के साथ हम FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस को सूत्र - Gate Source Capacitance FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3) का उपयोग करके पा सकते हैं।

क्या FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, समाई में मापा गया FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस को आम तौर पर समाई के लिए फैरड[F] का उपयोग करके मापा जाता है। किलोफ़ारैड[F], मिलिफाराडी[F], माइक्रोफ़ारड[F] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस को मापा जा सकता है।

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