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सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि
LaTeX प्रतिलिपि
इनपुट कैपेसिटेंस वोल्टेज एम्पलीफायर का कैपेसिटेंस मान है। FAQs जांचें
Ci=Ccb+Cbe⋅(1+(gm⋅RL))
Ci - इनपुट कैपेसिटेंस?Ccb - कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस?Cbe - बेस एमिटर कैपेसिटेंस?gm - transconductance?RL - भार प्रतिरोध?

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस समीकरण जैसा दिखता है।

520.104Edit=300Edit+27Edit⋅(1+(4.8Edit⋅1.49Edit))
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सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस समाधान

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Ci=Ccb+Cbe⋅(1+(gm⋅RL))
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ Ci=300μF+27μF⋅(1+(4.8mS⋅1.49kΩ))
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
∴ Ci=0.0003F+2.7E-5F⋅(1+(0.0048S⋅1490Ω))
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ Ci=0.0003+2.7E-5⋅(1+(0.0048⋅1490))
अगला कदम मूल्यांकन करना
∴Ci=0.000520104F
अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
∴Ci=520.104μF

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस FORMULA तत्वों

चर
इनपुट कैपेसिटेंस
इनपुट कैपेसिटेंस वोल्टेज एम्पलीफायर का कैपेसिटेंस मान है।
प्रतीक: Ci
माप: समाईइकाई: μF
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
इनपुट कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस
सक्रिय मोड में कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस रिवर्स बायस्ड है और कलेक्टर और बेस के बीच कैपेसिटेंस है।
प्रतीक: Ccb
माप: समाईइकाई: μF
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
बेस एमिटर कैपेसिटेंस
बेस एमिटर कैपेसिटेंस जंक्शन की कैपेसिटेंस है जो आगे-पक्षपाती है और एक डायोड द्वारा दर्शाया जाता है।
प्रतीक: Cbe
माप: समाईइकाई: μF
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
बेस एमिटर कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
transconductance
ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है।
प्रतीक: gm
माप: विद्युत चालनइकाई: mS
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
transconductance खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
भार प्रतिरोध
लोड प्रतिरोध एक सर्किट का संचयी प्रतिरोध है, जैसा कि उस सर्किट को चलाने वाले वोल्टेज, करंट या पावर स्रोत द्वारा देखा जाता है।
प्रतीक: RL
माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: kΩ
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
भार प्रतिरोध खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

सीई एम्पलीफायर की प्रतिक्रिया श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना डिस्क्रीट-सर्किट एम्पलीफायर में एम्पलीफायर बैंडविड्थ
BW=fh-fL
​जाना सीई एम्पलीफायर का कलेक्टर बेस जंक्शन प्रतिरोध
Rc=Rsig⋅(1+gm⋅RL)+RL
​जाना सीई एम्पलीफायर का प्रभावी उच्च आवृत्ति समय स्थिरांक
𝜏H=Cbe⋅Rsig+(Ccb⋅(Rsig⋅(1+gm⋅RL)+RL))+(Ct⋅RL)
​जाना हाई-फ़्रीक्वेंसी बैंड दिया गया कॉम्प्लेक्स फ़्रीक्वेंसी वेरिएबल
Am=(1+(f3dBft))⋅(1+(f3dBfo))(1+(f3dBfp))⋅(1+(f3dBfp2))

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें?

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस मूल्यांकनकर्ता इनपुट कैपेसिटेंस, सीई एम्पलीफायर फॉर्मूला के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस को सीबीई के बराबर परिभाषित किया गया है। (ठीक है, व्यवहार में कलेक्टर और एमिटर के बीच छोटा परजीवी समाई होती है) कॉमन कलेक्टर सर्किट में कलेक्टर एंड ग्राउंडेड होता है (Vcc एसी के लिए ग्राउंड होता है), इसलिए इनपुट कैपेसिटेंस बेस-कलेक्टर कैपेसिटेंस के बराबर होता है बशर्ते लोड की अपनी कोई कैपेसिटेंस न हो। का मूल्यांकन करने के लिए Input Capacitance = कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस+बेस एमिटर कैपेसिटेंस*(1+(transconductance*भार प्रतिरोध)) का उपयोग करता है। इनपुट कैपेसिटेंस को Ci प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें? सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस (Ccb), बेस एमिटर कैपेसिटेंस (Cbe), transconductance (gm) & भार प्रतिरोध (RL) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस

सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस का सूत्र Input Capacitance = कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस+बेस एमिटर कैपेसिटेंस*(1+(transconductance*भार प्रतिरोध)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 5.2E+8 = 0.0003+2.7E-05*(1+(0.0048*1490)).
सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?
कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस (Ccb), बेस एमिटर कैपेसिटेंस (Cbe), transconductance (gm) & भार प्रतिरोध (RL) के साथ हम सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस को सूत्र - Input Capacitance = कलेक्टर बेस जंक्शन कैपेसिटेंस+बेस एमिटर कैपेसिटेंस*(1+(transconductance*भार प्रतिरोध)) का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, समाई में मापा गया सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस को आम तौर पर समाई के लिए माइक्रोफ़ारड[μF] का उपयोग करके मापा जाता है। फैरड[μF], किलोफ़ारैड[μF], मिलिफाराडी[μF] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें सीई एम्पलीफायर के उच्च आवृत्ति लाभ में इनपुट कैपेसिटेंस को मापा जा सकता है।
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