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पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला

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जंक्शन कैपेसिटेंस एक सेमीकंडक्टर डिवाइस, जैसे डायोड या ट्रांजिस्टर, में दो सेमीकंडक्टर क्षेत्रों के बीच बने पीएन जंक्शन से जुड़े कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है। FAQs जांचें

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

C_j - जंक्शन कैपेसिटेंस?A_pn - पीएन जंक्शन क्षेत्र?ε_r - सापेक्ष पारगम्यता?V₀ - पीएन जंक्शन पर वोल्टेज?V - रिवर्स बायस वोल्टेज?N_A - स्वीकर्ता एकाग्रता?N_D - दाता एकाग्रता?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉन की पारगम्यता?

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस समीकरण जैसा दिखता है।

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

1.9E+6fF = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस समाधान

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot 78F/m \cdot [Permitivity-silicon]}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

C j = \frac{4.8E-12m²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

C j = \frac{4.8E-12}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

C j = 1.9040662888657E-09F

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

C j = 1904066.2888657fF

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

C j = 1.9E+6fF

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

जंक्शन कैपेसिटेंस

जंक्शन कैपेसिटेंस एक सेमीकंडक्टर डिवाइस, जैसे डायोड या ट्रांजिस्टर, में दो सेमीकंडक्टर क्षेत्रों के बीच बने पीएन जंक्शन से जुड़े कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।

प्रतीक: C_j

माप: समाईइकाई: fF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

जंक्शन कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

पीएन जंक्शन क्षेत्र

पीएन जंक्शन क्षेत्र एक पीएन डायोड में दो प्रकार की अर्धचालक सामग्रियों के बीच की सीमा या इंटरफ़ेस क्षेत्र है।

प्रतीक: A_pn

माप: क्षेत्रइकाई: µm²

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

पीएन जंक्शन क्षेत्र खोजने के लिए सूत्र

सापेक्ष पारगम्यता

सापेक्ष पारगम्यता किसी सामग्री की विद्युत क्षेत्र में विद्युत ऊर्जा को संग्रहित करने की क्षमता का माप है।

प्रतीक: ε_r

माप: परावैद्युतांकइकाई: F/m

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सापेक्ष पारगम्यता खोजने के लिए सूत्र

पीएन जंक्शन पर वोल्टेज

पीएन जंक्शन पर वोल्टेज बिना किसी बाहरी पूर्वाग्रह के अर्धचालक के पीएन जंक्शन पर अंतर्निहित क्षमता है।

प्रतीक: V₀

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0.3 से 0.8 के बीच होना चाहिए.

पीएन जंक्शन पर वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

रिवर्स बायस वोल्टेज

रिवर्स बायस वोल्टेज पीएन जंक्शन पर लागू नकारात्मक बाहरी वोल्टेज है।

प्रतीक: V

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से कम होना चाहिए.

रिवर्स बायस वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

स्वीकर्ता एकाग्रता

स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है।

प्रतीक: N_A

माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/m³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्वीकर्ता एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

दाता एकाग्रता

दाता एकाग्रता से तात्पर्य मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ाने के लिए अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता से है।

प्रतीक: N_D

माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/m³

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

दाता एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

सिलिकॉन की पारगम्यता

सिलिकॉन की पारगम्यता विद्युत क्षेत्र में विद्युत ऊर्जा को संग्रहीत करने की क्षमता को मापती है, जो अर्धचालक प्रौद्योगिकी में महत्वपूर्ण है।

प्रतीक: [Permitivity-silicon]

कीमत: 11.7

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

ऑप्टिकल घटकों वाले उपकरण श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना ध्रुवीकरण तल के घूर्णन का कोण

θ = 1.8 \cdot B \cdot L m

जाना अपेक्स कोण

A = \tan (α)

और देखें

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें?

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस मूल्यांकनकर्ता जंक्शन कैपेसिटेंस, पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला को संचित चार्ज के कारण पीएन जंक्शन के कमी क्षेत्र से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। यह रिवर्स बायस्ड स्थिति में प्रमुख है क्योंकि, यह स्थिति अवरोध क्षमता को बढ़ाती है और इसलिए इसके पार धारिता को बढ़ाती है। का मूल्यांकन करने के लिए Junction Capacitance = पीएन जंक्शन क्षेत्र/2*sqrt((2*[Charge-e]*सापेक्ष पारगम्यता*[Permitivity-silicon])/(पीएन जंक्शन पर वोल्टेज-(रिवर्स बायस वोल्टेज))*((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(स्वीकर्ता एकाग्रता+दाता एकाग्रता))) का उपयोग करता है। जंक्शन कैपेसिटेंस को C_j प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें? पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, पीएन जंक्शन क्षेत्र (A_pn), सापेक्ष पारगम्यता (ε_r), पीएन जंक्शन पर वोल्टेज (V₀), रिवर्स बायस वोल्टेज (V), स्वीकर्ता एकाग्रता (N_A) & दाता एकाग्रता (N_D) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस का सूत्र Junction Capacitance = पीएन जंक्शन क्षेत्र/2*sqrt((2*[Charge-e]*सापेक्ष पारगम्यता*[Permitivity-silicon])/(पीएन जंक्शन पर वोल्टेज-(रिवर्स बायस वोल्टेज))*((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(स्वीकर्ता एकाग्रता+दाता एकाग्रता))) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

पीएन जंक्शन क्षेत्र (A_pn), सापेक्ष पारगम्यता (ε_r), पीएन जंक्शन पर वोल्टेज (V₀), रिवर्स बायस वोल्टेज (V), स्वीकर्ता एकाग्रता (N_A) & दाता एकाग्रता (N_D) के साथ हम पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस को सूत्र - Junction Capacitance = पीएन जंक्शन क्षेत्र/2*sqrt((2*[Charge-e]*सापेक्ष पारगम्यता*[Permitivity-silicon])/(पीएन जंक्शन पर वोल्टेज-(रिवर्स बायस वोल्टेज))*((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(स्वीकर्ता एकाग्रता+दाता एकाग्रता))) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र इलेक्ट्रॉन का आवेश, सिलिकॉन की पारगम्यता स्थिरांक और वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, समाई में मापा गया पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस को आम तौर पर समाई के लिए फेम्टोफैरड[fF] का उपयोग करके मापा जाता है। फैरड[fF], किलोफ़ारैड[fF], मिलिफाराडी[fF] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस को मापा जा सकता है।

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पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस उदाहरण

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस समाधान

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस FORMULA तत्वों

ऑप्टिकल घटकों वाले उपकरण श्रेणी में अन्य सूत्र

पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर पीएन जंक्शन कैपेसिटेंस

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