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NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है। FAQs जांचें
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
Id - NMOS में ड्रेन करेंट?k'n - NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर?Wc - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?Vgs - गेट स्रोत वोल्टेज?VT - सीमा वोल्टेज?

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें समीकरण जैसा दिखता है।

239.7013Edit=12⋅2Edit⋅10Edit3Edit⋅(10.3Edit-1.82Edit)2
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जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें समाधान

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ Id=12⋅2mS⋅10μm3μm⋅(10.3V-1.82V)2
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
∴ Id=12⋅0.002S⋅1E-5m3E-6m⋅(10.3V-1.82V)2
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ Id=12⋅0.002⋅1E-53E-6⋅(10.3-1.82)2
अगला कदम मूल्यांकन करना
∴Id=0.239701333333333A
अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
∴Id=239.701333333333mA
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
∴Id=239.7013mA

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें FORMULA तत्वों

चर
NMOS में ड्रेन करेंट
NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।
प्रतीक: Id
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
NMOS में ड्रेन करेंट खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर
NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।
प्रतीक: k'n
माप: विद्युत चालनइकाई: mS
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
चैनल की चौड़ाई
चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।
प्रतीक: Wc
माप: लंबाईइकाई: μm
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
चैनल की चौड़ाई खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
चैनल की लंबाई
चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।
प्रतीक: L
माप: लंबाईइकाई: μm
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
चैनल की लंबाई खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
गेट स्रोत वोल्टेज
गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।
प्रतीक: Vgs
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
गेट स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
सीमा वोल्टेज
थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।
प्रतीक: VT
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
सीमा वोल्टेज खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

NMOS में ड्रेन करेंट खोजने के लिए अन्य सूत्र

​जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
​जाना NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)
​जाना NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
​जाना NMOS की संतृप्ति और ट्रायोड क्षेत्र की सीमा पर वर्तमान प्रवेश नाली स्रोत
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vds)2

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग
vd=μn⋅EL
​जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
​जाना NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया
Ids=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vov)2
​जाना NMOS में दी गई सकारात्मक वोल्टेज चैनल की लंबाई
V=VA⋅L

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें का मूल्यांकन कैसे करें?

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें मूल्यांकनकर्ता NMOS में ड्रेन करेंट, ड्रेन करंट जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट सोर्स के रूप में काम करता है, तब होता है जब MOSFET का उपयोग एम्पलीफायर को डिजाइन करने के लिए किया जाता है, यह संतृप्ति क्षेत्र में संचालित होता है। संतृप्ति में नाली का प्रवाह लगातार निर्धारित होता है और निरंतर-वर्तमान स्रोत से स्वतंत्र होता है जहां वर्तमान का मान निर्धारित होता है। MOSFET एक वोल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। का मूल्यांकन करने के लिए Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 का उपयोग करता है। NMOS में ड्रेन करेंट को Id प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें का मूल्यांकन कैसे करें? जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'n), चैनल की चौड़ाई (Wc), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (Vgs) & सीमा वोल्टेज (VT) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें का सूत्र Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2.
जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें की गणना कैसे करें?
NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'n), चैनल की चौड़ाई (Wc), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (Vgs) & सीमा वोल्टेज (VT) के साथ हम जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें को सूत्र - Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 का उपयोग करके पा सकते हैं।
NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?
NMOS में ड्रेन करेंट-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2OpenImg
 की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं
क्या जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें को मापा जा सकता है।
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