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गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया फॉर्मूला

जानाअंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज FORMULA

जानाओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज FORMULA

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LaTeX प्रतिलिपि

गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। FAQs जांचें

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

V_gs - गेट-स्रोत वोल्टेज?I_in - आगत बहाव?ω - कोणीय आवृत्ति?C_sg - स्रोत गेट कैपेसिटेंस?C_gd - गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस?

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया समीकरण जैसा दिखता है।

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

3.9978V = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

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गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया समाधान

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

V gs = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

V gs = \frac{0.002A}{33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

V gs = \frac{0.002}{33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

V gs = 3.99776125369793V

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

V gs = 3.9978V

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया FORMULA तत्वों

चर

गेट-स्रोत वोल्टेज

गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।

प्रतीक: V_gs

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट-स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

आगत बहाव

इनपुट करंट विद्युत प्रवाह को संदर्भित कर सकता है जो विद्युत उपकरण या सर्किट में प्रवाहित हो रहा है। डिवाइस और पावर स्रोत के आधार पर यह करंट एसी या डीसी हो सकता है।

प्रतीक: I_in

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

आगत बहाव खोजने के लिए सूत्र

कोणीय आवृत्ति

तरंग की कोणीय आवृत्ति प्रति इकाई समय में कोणीय विस्थापन को संदर्भित करती है। यह घूर्णन दर का एक अदिश माप है।

प्रतीक: ω

माप: कोणीय आवृत्तिइकाई: rad/s

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

कोणीय आवृत्ति खोजने के लिए सूत्र

स्रोत गेट कैपेसिटेंस

स्रोत गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और गेट इलेक्ट्रोड के बीच कैपेसिटेंस का एक माप है।

प्रतीक: C_sg

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्रोत गेट कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और ड्रेन इलेक्ट्रोड के बीच मौजूद होता है।

प्रतीक: C_gd

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

गेट-स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए अन्य सूत्र

जाना अंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

जाना ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

वोल्टेज श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

v o1 = - (R out \cdot I t)

जाना MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

v o2 = - (R out \cdot I t)

जाना MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

जाना MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

और देखें

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया का मूल्यांकन कैसे करें?

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया मूल्यांकनकर्ता गेट-स्रोत वोल्टेज, MOSFET के दिए गए इनपुट करंट फॉर्मूला के गेट और स्रोत पर वोल्टेज को गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET को चालू करने के लिए आवश्यक है। दूसरे शब्दों में, यदि यह कम से कम दहलीज वोल्टेज जितना अधिक है, तो MOSFET चालू हो जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Gate-Source Voltage = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करता है। गेट-स्रोत वोल्टेज को V_gs प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया का मूल्यांकन कैसे करें? गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, आगत बहाव (I_in), कोणीय आवृत्ति (ω), स्रोत गेट कैपेसिटेंस (C_sg) & गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया का सूत्र Gate-Source Voltage = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 3.997761 = 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06)).

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया की गणना कैसे करें?

आगत बहाव (I_in), कोणीय आवृत्ति (ω), स्रोत गेट कैपेसिटेंस (C_sg) & गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) के साथ हम गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया को सूत्र - Gate-Source Voltage = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करके पा सकते हैं।

गेट-स्रोत वोल्टेज की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?

गेट-स्रोत वोल्टेज-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+sqrt((2*DC Bias Current)/(Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio))
Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage

की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं

क्या गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया को मापा जा सकता है।

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गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया फॉर्मूला

​जानाअंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज FORMULA

​जानाओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज FORMULA

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया उदाहरण

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया समाधान

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया FORMULA तत्वों

गेट-स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए अन्य सूत्र

वोल्टेज श्रेणी में अन्य सूत्र

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया

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जानाअंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज FORMULA

जानाओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज FORMULA