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आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

एक इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर का कलेक्टर से एमिटर सैचुरेशन वोल्टेज (IGBT) वह वोल्टेज ड्रॉप है जो IGBT में तब आता है जब इसे चालू किया जाता है और यह धारा प्रवाहित करता है। FAQs जांचें

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - कलेक्टर से एमिटर संतृप्ति वोल्टेज (आईजीबीटी)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT?I_d(igbt) - ड्रेन करंट (आईजीबीटी)?R_s(igbt) - चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी?R_ch(igbt) - एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)?

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज समीकरण जैसा दिखता है।

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज समाधान

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

अंतिम चरण मूल्यांकन करना

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज FORMULA तत्वों

चर

कलेक्टर से एमिटर संतृप्ति वोल्टेज (आईजीबीटी)

एक इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर का कलेक्टर से एमिटर सैचुरेशन वोल्टेज (IGBT) वह वोल्टेज ड्रॉप है जो IGBT में तब आता है जब इसे चालू किया जाता है और यह धारा प्रवाहित करता है।

प्रतीक: V_{c-e(sat)(igbt)}

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

कलेक्टर से एमिटर संतृप्ति वोल्टेज (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्र

बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT

बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT. IGBT एक हाइब्रिड डिवाइस है जो MOSFET और BJT के लाभों को जोड़ती है।

प्रतीक: V_{B-E(pnp)(igbt)}

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT खोजने के लिए सूत्र

ड्रेन करंट (आईजीबीटी)

ड्रेन करंट (IGBT) वह करंट है जो MOSFET और IGBT के ड्रेन जंक्शन से होकर प्रवाहित होता है।

प्रतीक: I_d(igbt)

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

ड्रेन करंट (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्र

चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी

चालकता प्रतिरोध IGBT वह प्रतिरोध है जब IGBT चालू होता है और धारा का संचालन करता है।

प्रतीक: R_s(igbt)

माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: kΩ

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी खोजने के लिए सूत्र

एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)

एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) डिवाइस में अर्धचालक सामग्री का प्रतिरोध है जब आईजीबीटी चालू होता है।

प्रतीक: R_ch(igbt)

माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: kΩ

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्र

आईजीबीटी श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

जाना आईजीबीटी बंद करने का समय

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

जाना आईजीबीटी का उत्सर्जक धारा

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

जाना आईजीबीटी की इनपुट कैपेसिटेंस

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

और देखें

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज का मूल्यांकन कैसे करें?

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज मूल्यांकनकर्ता कलेक्टर से एमिटर संतृप्ति वोल्टेज (आईजीबीटी), आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज डिवाइस पर वोल्टेज ड्रॉप है जब यह "चालू" या संचालन स्थिति में होता है। यह वोल्टेज ड्रॉप आईजीबीटी की अंतर्निहित विशेषताओं के कारण होता है और आमतौर पर एक मानक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (बीजेटी) में वोल्टेज ड्रॉप से कम होता है। आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज आईजीबीटी की वर्तमान रेटिंग, तापमान और विशिष्ट मॉडल या निर्माता सहित कई कारकों से प्रभावित होता है। का मूल्यांकन करने के लिए Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT+ड्रेन करंट (आईजीबीटी)*(चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी+एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)) का उपयोग करता है। कलेक्टर से एमिटर संतृप्ति वोल्टेज (आईजीबीटी) को V_{c-e(sat)(igbt)} प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज का मूल्यांकन कैसे करें? आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), ड्रेन करंट (आईजीबीटी) (I_d(igbt)), चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी (R_s(igbt)) & एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) (R_ch(igbt)) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज का सूत्र Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT+ड्रेन करंट (आईजीबीटी)*(चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी+एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज की गणना कैसे करें?

बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), ड्रेन करंट (आईजीबीटी) (I_d(igbt)), चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी (R_s(igbt)) & एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) (R_ch(igbt)) के साथ हम आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज को सूत्र - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = बेस एमिटर वोल्टेज PNP IGBT+ड्रेन करंट (आईजीबीटी)*(चालकता प्रतिरोध आईजीबीटी+एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)) का उपयोग करके पा सकते हैं।

क्या आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज को मापा जा सकता है।

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आईजीबीटी का संतृप्ति वोल्टेज फॉर्मूला

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