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अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई अर्धचालक उपकरण में एक ऐसा क्षेत्र है जहां कोई निःशुल्क आवेश वाहक नहीं होते हैं। FAQs जांचें

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

x_depl - ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई?N_d - डोपिंग घनत्व?V_i - शोट्की संभावित बाधा?V_g - गेट वोल्टेज?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉन की पारगम्यता?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई समीकरण जैसा दिखता है।

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

0.0002m = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

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माइक्रोवेव सिद्धांत » fx अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई समाधान

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+281/m³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+28}) \cdot (15.9 - 0.25)}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

x depl = 0.000159363423174517m

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

x depl = 0.0002m

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई अर्धचालक उपकरण में एक ऐसा क्षेत्र है जहां कोई निःशुल्क आवेश वाहक नहीं होते हैं।

प्रतीक: x_depl

माप: लंबाईइकाई: m

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई खोजने के लिए सूत्र

डोपिंग घनत्व

डोपिंग घनत्व एक अर्धचालक सामग्री में डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करता है। डोपेंट अशुद्धता परमाणु हैं जिन्हें जानबूझकर अर्धचालक में पेश किया जाता है।

प्रतीक: N_d

माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/cm³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

डोपिंग घनत्व खोजने के लिए सूत्र

शोट्की संभावित बाधा

शोट्की पोटेंशियल बैरियर इलेक्ट्रॉनों के लिए एक अवरोध के रूप में कार्य करता है, और अवरोध की ऊंचाई दो सामग्रियों के बीच कार्य फ़ंक्शन अंतर पर निर्भर करती है।

प्रतीक: V_i

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

शोट्की संभावित बाधा खोजने के लिए सूत्र

गेट वोल्टेज

गेट वोल्टेज एक JFET ट्रांजिस्टर के गेट स्रोत जंक्शन पर विकसित वोल्टेज है।

प्रतीक: V_g

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

सिलिकॉन की पारगम्यता

सिलिकॉन की पारगम्यता विद्युत क्षेत्र में विद्युत ऊर्जा को संग्रहीत करने की क्षमता को मापती है, जो अर्धचालक प्रौद्योगिकी में महत्वपूर्ण है।

प्रतीक: [Permitivity-silicon]

कीमत: 11.7

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

क्लीस्टरोण श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना बीम लोडिंग कंडक्टनेस

G b = G - (G L + G cu)

जाना कॉपर कैविटी का नुकसान

G cu = G - (G b + G L)

जाना गुहा चालन

G = G L + G cu + G b

जाना क्लिस्ट्रॉन का बंचिंग पैरामीटर

X = \frac{β i \cdot V in \cdot θ o}{2 \cdot V o}

और देखें

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई का मूल्यांकन कैसे करें?

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई मूल्यांकनकर्ता ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई, डेप्लेशन ज़ोन सूत्र की चौड़ाई को सेमीकंडक्टर डिवाइस में एक क्षेत्र के रूप में परिभाषित किया गया है जहां कोई फ्री चार्ज वाहक नहीं हैं। यह सेमीकंडक्टर सामग्री के डोपिंग स्तर, गेट वोल्टेज और डिवाइस के भौतिक आयामों पर निर्भर करता है। का मूल्यांकन करने के लिए Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*डोपिंग घनत्व))*(शोट्की संभावित बाधा-गेट वोल्टेज)) का उपयोग करता है। ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई को x_depl प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई का मूल्यांकन कैसे करें? अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, डोपिंग घनत्व (N_d), शोट्की संभावित बाधा (V_i) & गेट वोल्टेज (V_g) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई का सूत्र Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*डोपिंग घनत्व))*(शोट्की संभावित बाधा-गेट वोल्टेज)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 0.000159 = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25)).

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई की गणना कैसे करें?

डोपिंग घनत्व (N_d), शोट्की संभावित बाधा (V_i) & गेट वोल्टेज (V_g) के साथ हम अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई को सूत्र - Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*डोपिंग घनत्व))*(शोट्की संभावित बाधा-गेट वोल्टेज)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र सिलिकॉन की पारगम्यता, इलेक्ट्रॉन का आवेश स्थिरांक और वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, लंबाई में मापा गया अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई को आम तौर पर लंबाई के लिए मीटर[m] का उपयोग करके मापा जाता है। मिलीमीटर[m], किलोमीटर[m], मिटर का दशमांश[m] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई को मापा जा सकता है।

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