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अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

ड्रेन की गहराई में कमी क्षेत्र वह कमी क्षेत्र है जो गेट टर्मिनल पर वोल्टेज लागू होने पर ड्रेन टर्मिनल के पास बनता है। FAQs जांचें

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dD - अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई?Φ_o - जंक्शन क्षमता में निर्मित?V_DS - नाली स्रोत वोल्टेज?N_A - स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉन की पारगम्यता?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई समीकरण जैसा दिखता है।

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.2E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई समाधान

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2V + 45V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

x dD = 72113188.282716m

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

x dD = 7.2E+7m

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई

ड्रेन की गहराई में कमी क्षेत्र वह कमी क्षेत्र है जो गेट टर्मिनल पर वोल्टेज लागू होने पर ड्रेन टर्मिनल के पास बनता है।

प्रतीक: x_dD

माप: लंबाईइकाई: m

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई खोजने के लिए सूत्र

जंक्शन क्षमता में निर्मित

बिल्ट-इन जंक्शन पोटेंशियल उस संभावित अंतर या वोल्टेज को संदर्भित करता है जो अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है जब यह बाहरी वोल्टेज स्रोत से जुड़ा नहीं होता है।

प्रतीक: Φ_o

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

जंक्शन क्षमता में निर्मित खोजने के लिए सूत्र

नाली स्रोत वोल्टेज

ड्रेन सोर्स वोल्टेज ड्रेन और सोर्स टर्मिनल के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।

प्रतीक: V_DS

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

नाली स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता

स्वीकर्ता की डोपिंग सांद्रता से तात्पर्य अर्धचालक सामग्री में जानबूझकर जोड़े गए स्वीकर्ता परमाणुओं की सांद्रता से है।

प्रतीक: N_A

माप: इलेक्ट्रॉन घनत्वइकाई: electrons/cm³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

सिलिकॉन की पारगम्यता

सिलिकॉन की पारगम्यता विद्युत क्षेत्र में विद्युत ऊर्जा को संग्रहीत करने की क्षमता को मापती है, जो अर्धचालक प्रौद्योगिकी में महत्वपूर्ण है।

प्रतीक: [Permitivity-silicon]

कीमत: 11.7

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

एमओएस ट्रांजिस्टर श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

C jsw = C j0sw \cdot x j

जाना समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

जाना पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

जाना साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

और देखें

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई का मूल्यांकन कैसे करें?

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई मूल्यांकनकर्ता अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई, ड्रेन फॉर्मूला से जुड़े कमी क्षेत्र की गहराई को कमी क्षेत्र के रूप में परिभाषित किया गया है जो गेट टर्मिनल पर वोल्टेज लागू होने पर ड्रेन टर्मिनल के पास बनता है। का मूल्यांकन करने के लिए Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन क्षमता में निर्मित+नाली स्रोत वोल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)) का उपयोग करता है। अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई को x_dD प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई का मूल्यांकन कैसे करें? अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, जंक्शन क्षमता में निर्मित (Φ_o), नाली स्रोत वोल्टेज (V_DS) & स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई का सूत्र Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन क्षमता में निर्मित+नाली स्रोत वोल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 1.6E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000)).

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई की गणना कैसे करें?

जंक्शन क्षमता में निर्मित (Φ_o), नाली स्रोत वोल्टेज (V_DS) & स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A) के साथ हम अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई को सूत्र - Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन क्षमता में निर्मित+नाली स्रोत वोल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र सिलिकॉन की पारगम्यता, इलेक्ट्रॉन का आवेश स्थिरांक और वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, लंबाई में मापा गया अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई को आम तौर पर लंबाई के लिए मीटर[m] का उपयोग करके मापा जाता है। मिलीमीटर[m], किलोमीटर[m], मिटर का दशमांश[m] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई को मापा जा सकता है।

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