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अधिकतम क्षय गहराई फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

अधिकतम कमी गहराई उस अधिकतम सीमा को संदर्भित करती है जिस तक कमी क्षेत्र कुछ परिचालन स्थितियों के तहत डिवाइस की अर्धचालक सामग्री में फैलता है। FAQs जांचें

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - अधिकतम क्षय गहराई?Φ_f - थोक फर्मी क्षमता?N_A - स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉन की पारगम्यता?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?

अधिकतम क्षय गहराई उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

अधिकतम क्षय गहराई समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

अधिकतम क्षय गहराई समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

अधिकतम क्षय गहराई समीकरण जैसा दिखता है।

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx अधिकतम क्षय गहराई

अधिकतम क्षय गहराई समाधान

अधिकतम क्षय गहराई की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

x dm = 7437907.45302539m

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

x dm = 7.4E+6m

अधिकतम क्षय गहराई FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

अधिकतम क्षय गहराई

अधिकतम कमी गहराई उस अधिकतम सीमा को संदर्भित करती है जिस तक कमी क्षेत्र कुछ परिचालन स्थितियों के तहत डिवाइस की अर्धचालक सामग्री में फैलता है।

प्रतीक: x_dm

माप: लंबाईइकाई: m

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

अधिकतम क्षय गहराई खोजने के लिए सूत्र

थोक फर्मी क्षमता

बल्क फर्मी पोटेंशियल एक पैरामीटर है जो अर्धचालक सामग्री के थोक (आंतरिक) में इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षमता का वर्णन करता है।

प्रतीक: Φ_f

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

थोक फर्मी क्षमता खोजने के लिए सूत्र

स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता

स्वीकर्ता की डोपिंग सांद्रता से तात्पर्य अर्धचालक सामग्री में जानबूझकर जोड़े गए स्वीकर्ता परमाणुओं की सांद्रता से है।

प्रतीक: N_A

माप: इलेक्ट्रॉन घनत्वइकाई: electrons/cm³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

सिलिकॉन की पारगम्यता

सिलिकॉन की पारगम्यता विद्युत क्षेत्र में विद्युत ऊर्जा को संग्रहीत करने की क्षमता को मापती है, जो अर्धचालक प्रौद्योगिकी में महत्वपूर्ण है।

प्रतीक: [Permitivity-silicon]

कीमत: 11.7

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

modulus

किसी संख्या का मापांक वह शेषफल होता है जो उस संख्या को किसी अन्य संख्या से विभाजित करने पर प्राप्त होता है।

वाक्य - विन्यास: modulus

एमओएस ट्रांजिस्टर श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

C jsw = C j0sw \cdot x j

जाना समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

जाना पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

जाना साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

और देखें

अधिकतम क्षय गहराई का मूल्यांकन कैसे करें?

अधिकतम क्षय गहराई मूल्यांकनकर्ता अधिकतम क्षय गहराई, अधिकतम कमी गहराई सूत्र को उस अधिकतम सीमा के रूप में परिभाषित किया गया है जिस तक कमी क्षेत्र कुछ परिचालन स्थितियों के तहत डिवाइस की अर्धचालक सामग्री में फैलता है। का मूल्यांकन करने के लिए Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*थोक फर्मी क्षमता))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)) का उपयोग करता है। अधिकतम क्षय गहराई को x_dm प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके अधिकतम क्षय गहराई का मूल्यांकन कैसे करें? अधिकतम क्षय गहराई के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, थोक फर्मी क्षमता (Φ_f) & स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर अधिकतम क्षय गहराई

अधिकतम क्षय गहराई ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

अधिकतम क्षय गहराई का सूत्र Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*थोक फर्मी क्षमता))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

अधिकतम क्षय गहराई की गणना कैसे करें?

थोक फर्मी क्षमता (Φ_f) & स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A) के साथ हम अधिकतम क्षय गहराई को सूत्र - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*थोक फर्मी क्षमता))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र सिलिकॉन की पारगम्यता, इलेक्ट्रॉन का आवेश स्थिरांक और , वर्गमूल (sqrt), मापांक (modulus) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या अधिकतम क्षय गहराई ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, लंबाई में मापा गया अधिकतम क्षय गहराई ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

अधिकतम क्षय गहराई को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

अधिकतम क्षय गहराई को आम तौर पर लंबाई के लिए मीटर[m] का उपयोग करके मापा जाता है। मिलीमीटर[m], किलोमीटर[m], मिटर का दशमांश[m] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें अधिकतम क्षय गहराई को मापा जा सकता है।

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