L'évaluateur Variation de tension sur Bitline utilise Voltage Swing on Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits) pour évaluer Variation de tension sur Bitline, La formule Voltage Swing On Bitline est définie comme une architecture SRAM de ligne de bit locale à balayage complet basée sur la technologie FinFET 22 nm pour un fonctionnement à basse tension. ... La SRAM proposée qui stocke quatre bits dans un bloc peut atteindre une tension minimale de 0,42 V et un retard de lecture 62,6 fois inférieur à celui de la SRAM 8T moyenne basée sur la technologie FinFET à 22 nm. Variation de tension sur Bitline est désigné par le symbole ΔV.
Comment évaluer Variation de tension sur Bitline à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Variation de tension sur Bitline, saisissez Tension positive (Vdd), Capacité cellulaire (Ccell) & Capacité des bits (Cbit) et appuyez sur le bouton Calculer.