Formule Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde

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La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie. Vérifiez FAQs
gm=2μnCox(WtLt)Id
gm - Transconductance dans MOSFET?μn - Mobilité électronique?Cox - Capacité d'oxyde?Wt - Largeur du transistor?Lt - Longueur du transistor?Id - Courant de vidange?

Exemple Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde.

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Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde ?

Premier pas Considérez la formule
gm=2μnCox(WtLt)Id
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
gm=230m²/V*s3.9F(5.5μm3.2μm)0.013A
L'étape suivante Convertir des unités
gm=230m²/V*s3.9F(5.5E-6m3.2E-6m)0.013A
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
gm=2303.9(5.5E-63.2E-6)0.013
L'étape suivante Évaluer
gm=2.28657768291392S
Dernière étape Réponse arrondie
gm=2.2866S

Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Transconductance dans MOSFET
La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
Symbole: gm
La mesure: Conductivité électriqueUnité: S
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Mobilité électronique
La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.
Symbole: μn
La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Largeur du transistor
La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Symbole: Wt
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Longueur du transistor
La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Symbole: Lt
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Courant de vidange
Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.
Symbole: Id
La mesure: Courant électriqueUnité: A
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Caractéristiques du MOSFET

​va Gain de tension maximal au point de polarisation
Avm=2Vdd-VeffVeff
​va Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions
Avm=Vdd-0.3Vt
​va Gain de tension donné Tension de drain
Av=idRL2Veff
​va Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET
Av=gm11RL+1Rout1+gmRs

Comment évaluer Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde ?

L'évaluateur Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde utilise Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange) pour évaluer Transconductance dans MOSFET, La formule de transconductance MOSFET donnée par la capacité d'oxyde est définie comme un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie. Transconductance dans MOSFET est désigné par le symbole gm.

Comment évaluer Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde, saisissez Mobilité électronique n), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur du transistor (Wt), Longueur du transistor (Lt) & Courant de vidange (Id) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde

Quelle est la formule pour trouver Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde ?
La formule de Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde est exprimée sous la forme Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange). Voici un exemple : 7.230794 = sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013).
Comment calculer Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde ?
Avec Mobilité électronique n), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur du transistor (Wt), Longueur du transistor (Lt) & Courant de vidange (Id), nous pouvons trouver Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde en utilisant la formule - Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).
Le Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde peut-il être négatif ?
Oui, le Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde, mesuré dans Conductivité électrique peut, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde ?
Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde est généralement mesuré à l'aide de Siemens[S] pour Conductivité électrique. mégasiemens[S], millisiemens[S], Mho[S] sont les quelques autres unités dans lesquelles Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde peut être mesuré.
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