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Formule Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

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La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source. Vérifiez FAQs
Gm=g0⋅(1-Vi-VGVp)
Gm - Transconductance du MESFET?g0 - Conductance de sortie?Vi - Tension d'entrée?VG - Tension de seuil?Vp - Tension de pincement?

Exemple Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Transconductance dans la région de saturation dans MESFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Transconductance dans la région de saturation dans MESFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Transconductance dans la région de saturation dans MESFET.

0.0631Edit=0.152Edit⋅(1-2.25Edit-1.562Edit2.01Edit)
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Transconductance dans la région de saturation dans MESFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Transconductance dans la région de saturation dans MESFET ?

Premier pas Considérez la formule
Gm=g0⋅(1-Vi-VGVp)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ Gm=0.152S⋅(1-2.25V-1.562V2.01V)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ Gm=0.152⋅(1-2.25-1.5622.01)
L'étape suivante Évaluer
∴Gm=0.0630717433777618S
Dernière étape Réponse arrondie
∴Gm=0.0631S

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Transconductance du MESFET
La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.
Symbole: Gm
La mesure: Conductivité électriqueUnité: S
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Transconductance du MESFETOpen Variable
Conductance de sortie
La conductance de sortie est un paramètre qui caractérise le comportement d'un transistor à effet de champ (FET) dans sa région de saturation.
Symbole: g0
La mesure: Conductivité électriqueUnité: S
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Conductance de sortieOpen Variable
Tension d'entrée
La tension d'entrée est la différence de potentiel électrique appliquée aux bornes d'entrée d'un composant ou d'un système.
Symbole: Vi
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension d'entréeOpen Variable
Tension de seuil
La tension de seuil est la tension à laquelle le transistor commence à conduire.
Symbole: VG
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension de seuilOpen Variable
Tension de pincement
La tension de pincement représente la tension grille-source à laquelle le canal du MESFET se ferme, ou « se pince ».
Symbole: Vp
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension de pincementOpen Variable
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Amplificateurs à transistors

​va Fréquence de coupure MESFET
fco=Gm2⋅π⋅Cgs
​va Fréquence de fonctionnement maximale
fmax=fco2⋅RdRs+Ri+Rg
​va Fréquence maximale d'oscillation
fmax o=vs2⋅π⋅Lc
​va Facteur de bruit GaAs MESFET
NF=1+2⋅ω⋅CgsGm⋅Rs-RgateRi

Comment évaluer Transconductance dans la région de saturation dans MESFET ?

L'évaluateur Transconductance dans la région de saturation dans MESFET utilise Transconductance of the MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement)) pour évaluer Transconductance du MESFET, La formule de transconductance dans la région de saturation dans MESFET est définie comme mesurant la sensibilité du courant de drain (Id) aux changements de la tension grille-source (Vgs) lorsque le transistor fonctionne dans sa région linéaire ou à petit signal. Transconductance du MESFET est désigné par le symbole Gm.

Comment évaluer Transconductance dans la région de saturation dans MESFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Transconductance dans la région de saturation dans MESFET, saisissez Conductance de sortie (g0), Tension d'entrée (Vi), Tension de seuil (VG) & Tension de pincement (Vp) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Quelle est la formule pour trouver Transconductance dans la région de saturation dans MESFET ?
La formule de Transconductance dans la région de saturation dans MESFET est exprimée sous la forme Transconductance of the MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement)). Voici un exemple : 0.063072 = 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01)).
Comment calculer Transconductance dans la région de saturation dans MESFET ?
Avec Conductance de sortie (g0), Tension d'entrée (Vi), Tension de seuil (VG) & Tension de pincement (Vp), nous pouvons trouver Transconductance dans la région de saturation dans MESFET en utilisant la formule - Transconductance of the MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).
Le Transconductance dans la région de saturation dans MESFET peut-il être négatif ?
Non, le Transconductance dans la région de saturation dans MESFET, mesuré dans Conductivité électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Transconductance dans la région de saturation dans MESFET ?
Transconductance dans la région de saturation dans MESFET est généralement mesuré à l'aide de Siemens[S] pour Conductivité électrique. mégasiemens[S], millisiemens[S], Mho[S] sont les quelques autres unités dans lesquelles Transconductance dans la région de saturation dans MESFET peut être mesuré.
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