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Formule Tension thermique du CMOS

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La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn. Vérifiez FAQs

V t = \frac{ψ o}{\ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})}

V_t - Tension thermique?ψ_o - Potentiel intégré?N_a - Concentration d'accepteur?N_d - Concentration des donneurs?n_i - Concentration électronique intrinsèque?

Exemple Tension thermique du CMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension thermique du CMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension thermique du CMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension thermique du CMOS.

0.5495 = \frac{18.8}{\ln (\frac{1100 \cdot 1.9E+14}{17^{2}})}

0.5495V = \frac{18.8V}{\ln (\frac{11001/m³ \cdot 1.9E+141/m³}{17^{2}})}

0.5495 = \frac{18.8}{\ln (\frac{1100 \cdot 1.9E+14}{17^{2}})}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Conception et applications CMOS » fx Tension thermique du CMOS

Tension thermique du CMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension thermique du CMOS ?

Premier pas Considérez la formule

V t = \frac{ψ o}{\ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V t = \frac{18.8V}{\ln (\frac{11001/m³ \cdot 1.9E+141/m³}{17^{2}})}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V t = \frac{18.8}{\ln (\frac{1100 \cdot 1.9E+14}{17^{2}})}

L'étape suivante Évaluer

∴

V t = 0.549471683639064V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

V t = 0.5495V

Tension thermique du CMOS Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Tension thermique

La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.

Symbole: V_t

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension thermique

Potentiel intégré

Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.

Symbole: ψ_o

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Potentiel intégré

Concentration d'accepteur

La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.

Symbole: N_a

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration d'accepteur

Concentration des donneurs

La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.

Symbole: N_d

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration des donneurs

Concentration électronique intrinsèque

La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.

Symbole: n_i

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration électronique intrinsèque

Le logarithme népérien, également appelé logarithme en base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle.

Syntaxe: ln(Number)

Autres formules dans la catégorie Caractéristiques de conception CMOS

va Courant statique

i static = \frac{P static}{V bc}

va Potentiel intégré

ψ o = V t \cdot \ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})

va Changement d'horloge de fréquence

Δf = K vco \cdot V ctrl

va Capacitance Onpath

C onpath = C t - C offpath

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Tension thermique du CMOS ?

L'évaluateur Tension thermique du CMOS utilise Thermal Voltage = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2)) pour évaluer Tension thermique, La tension thermique du CMOS est la tension générée aux bornes d'un dispositif MOSFET en raison des différences de température entre les bornes de source et de drain. Tension thermique est désigné par le symbole V_t.

Comment évaluer Tension thermique du CMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension thermique du CMOS, saisissez Potentiel intégré (ψ_o), Concentration d'accepteur (N_a), Concentration des donneurs (N_d) & Concentration électronique intrinsèque (n_i) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension thermique du CMOS

Quelle est la formule pour trouver Tension thermique du CMOS ?

La formule de Tension thermique du CMOS est exprimée sous la forme Thermal Voltage = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2)). Voici un exemple : 0.549472 = 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2)).

Comment calculer Tension thermique du CMOS ?

Avec Potentiel intégré (ψ_o), Concentration d'accepteur (N_a), Concentration des donneurs (N_d) & Concentration électronique intrinsèque (n_i), nous pouvons trouver Tension thermique du CMOS en utilisant la formule - Thermal Voltage = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Fonction de logarithme naturel.

Le Tension thermique du CMOS peut-il être négatif ?

Non, le Tension thermique du CMOS, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension thermique du CMOS ?

Tension thermique du CMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension thermique du CMOS peut être mesuré.

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