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Formule Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

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Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation. Vérifiez FAQs

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

I_in - Courant d'entrée?V_gs - Tension grille-source?ω - Fréquence angulaire?C_sg - Capacité de la porte source?C_gd - Capacité de vidange de porte?

Exemple Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET.

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

2.0011mA = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

L'étape suivante Convertir des unités

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F))

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I in = 4 \cdot (33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6))

L'étape suivante Évaluer

∴

I in = 0.00200112A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

I in = 2.00112mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I in = 2.0011mA

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET Formule Éléments

Variables

Courant d'entrée

Symbole: I_in

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Courant d'entrée

Tension grille-source

La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension grille-source

Fréquence angulaire

La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.

Symbole: ω

La mesure: Fréquence angulaireUnité: rad/s

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Fréquence angulaire

Capacité de la porte source

La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).

Symbole: C_sg

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité de la porte source

Capacité de vidange de porte

La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).

Symbole: C_gd

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité de vidange de porte

Autres formules dans la catégorie Tension

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

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Comment évaluer Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET ?

L'évaluateur Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET utilise Input Current = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte)) pour évaluer Courant d'entrée, Le paramètre de dispositif de tension positive donné dans MOSFET augmente avec le dopage tandis que le seuil des structures pMOS diminue avec le dopage de la même manière. Une variation de la tension de bande plate due à la charge d'oxyde entraînera le déplacement des deux courbes vers le bas si la charge est positive et vers le haut si la charge est négative. Courant d'entrée est désigné par le symbole I_in.

Comment évaluer Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET, saisissez Tension grille-source (V_gs), Fréquence angulaire (ω), Capacité de la porte source (C_sg) & Capacité de vidange de porte (C_gd) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET ?

La formule de Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET est exprimée sous la forme Input Current = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte)). Voici un exemple : 2001.12 = 4*(33*(8.16E-06+7E-06)).

Comment calculer Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET ?

Avec Tension grille-source (V_gs), Fréquence angulaire (ω), Capacité de la porte source (C_sg) & Capacité de vidange de porte (C_gd), nous pouvons trouver Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET en utilisant la formule - Input Current = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte)).

Le Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET peut-il être négatif ?

Oui, le Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET, mesuré dans Courant électrique peut, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET ?

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET peut être mesuré.

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Formule Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Exemple Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

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