FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Tension de surmultiplication du PMOS

Fx Copie

LaTeX Copie

La tension effective est la tension continue équivalente qui produirait la même quantité de dissipation de puissance dans une charge résistive que la tension alternative mesurée. Vérifiez FAQs

V ov = V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)

V_ov - Tension efficace?V_GS - Tension entre la porte et la source?V_T - Tension de seuil?

Exemple Tension de surmultiplication du PMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de surmultiplication du PMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de surmultiplication du PMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de surmultiplication du PMOS.

2.16 = 2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)

2.16V = 2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)

2.16 = 2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Électronique analogique » fx Tension de surmultiplication du PMOS

Tension de surmultiplication du PMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de surmultiplication du PMOS ?

Premier pas Considérez la formule

V ov = V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V ov = 2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V ov = 2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)

Dernière étape Évaluer

∴

V ov = 2.16V

Tension de surmultiplication du PMOS Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Tension efficace

La tension effective est la tension continue équivalente qui produirait la même quantité de dissipation de puissance dans une charge résistive que la tension alternative mesurée.

Symbole: V_ov

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension efficace

Tension entre la porte et la source

La tension entre grille et source d'un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C'est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET.

Symbole: V_GS

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension entre la porte et la source

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_T

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

modulus

Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre.

Syntaxe: modulus

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Tension de surmultiplication du PMOS ?

L'évaluateur Tension de surmultiplication du PMOS utilise Effective Voltage = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil) pour évaluer Tension efficace, La tension Overdrive de la formule PMOS est définie comme la tension entre la grille et la source du transistor (V. Tension efficace est désigné par le symbole V_ov.

Comment évaluer Tension de surmultiplication du PMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de surmultiplication du PMOS, saisissez Tension entre la porte et la source (V_GS) & Tension de seuil (V_T) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension de surmultiplication du PMOS

Quelle est la formule pour trouver Tension de surmultiplication du PMOS ?

La formule de Tension de surmultiplication du PMOS est exprimée sous la forme Effective Voltage = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil). Voici un exemple : 2.16 = 2.86-modulus(0.7).

Comment calculer Tension de surmultiplication du PMOS ?

Avec Tension entre la porte et la source (V_GS) & Tension de seuil (V_T), nous pouvons trouver Tension de surmultiplication du PMOS en utilisant la formule - Effective Voltage = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil). Cette formule utilise également la ou les fonctions Module (module).

Le Tension de surmultiplication du PMOS peut-il être négatif ?

Oui, le Tension de surmultiplication du PMOS, mesuré dans Potentiel électrique peut, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de surmultiplication du PMOS ?

Tension de surmultiplication du PMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de surmultiplication du PMOS peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité

Formule Tension de surmultiplication du PMOS

Exemple Tension de surmultiplication du PMOS

Tension de surmultiplication du PMOS Solution

Tension de surmultiplication du PMOS Formule Éléments

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

Comment évaluer Tension de surmultiplication du PMOS ?

FAQs sur Tension de surmultiplication du PMOS

Variable Name