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Formule Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

vaTension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun Formule

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La tension de drain Q1 est la tension prise à la borne de drain sur un transistor Q1 dans le circuit différentiel. Vérifiez FAQs

v o1 = - (R out \cdot I t)

v_o1 - Tension de vidange Q1?R_out - Résistance de sortie?I_t - Courant total?

Exemple Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET.

-34.65 = - (4.5 \cdot 7.7)

-34.65V = - (4.5kΩ \cdot 7.7mA)

-34.65 = - (4.5 \cdot 7.7)

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule

v o1 = - (R out \cdot I t)

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

v o1 = - (4.5kΩ \cdot 7.7mA)

L'étape suivante Convertir des unités

∴

v o1 = - (4500Ω \cdot 0.0077A)

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

v o1 = - (4500 \cdot 0.0077)

Dernière étape Évaluer

∴

v o1 = -34.65V

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET Formule Éléments

Variables

Tension de vidange Q1

La tension de drain Q1 est la tension prise à la borne de drain sur un transistor Q1 dans le circuit différentiel.

Symbole: v_o1

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension de vidange Q1

Résistance de sortie

La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.

Symbole: R_out

La mesure: Résistance électriqueUnité: kΩ

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Résistance de sortie

Courant total

Le courant total est un terme utilisé en génie électrique et en physique pour désigner la somme de tous les courants électriques traversant un point particulier d'un circuit ou d'un conducteur.

Symbole: I_t

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Courant total

Autres formules pour trouver Tension de vidange Q1

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Autres formules dans la catégorie Tension

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

va Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

V cin = (\frac{I t}{g m}) + (2 \cdot I t \cdot R out)

va Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

V th = V gs - V eff

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET ?

L'évaluateur Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET utilise Drain Voltage Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total) pour évaluer Tension de vidange Q1, La tension de sortie au drain Q1 de la formule MOSFET est définie comme la tension libérée par un dispositif, tel qu'un régulateur de tension ou un générateur. Tension de vidange Q1 est désigné par le symbole v_o1.

Comment évaluer Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET, saisissez Résistance de sortie (R_out) & Courant total (I_t) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET ?

La formule de Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET est exprimée sous la forme Drain Voltage Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total). Voici un exemple : -34.65 = -(4500*0.0077).

Comment calculer Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET ?

Avec Résistance de sortie (R_out) & Courant total (I_t), nous pouvons trouver Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET en utilisant la formule - Drain Voltage Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total).

Quelles sont les autres façons de calculer Tension de vidange Q1 ?

Voici les différentes façons de calculer Tension de vidange Q1-

Drain Voltage Q1=-Output Resistance*(Transconductance*Common Mode Input Signal)/(1+(2*Transconductance*Output Resistance))

Le Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET peut-il être négatif ?

Oui, le Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET, mesuré dans Potentiel électrique peut, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET ?

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET peut être mesuré.

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