FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Fx Copie

LaTeX Copie

La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET. Vérifiez FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Tension de seuil supplémentaire à canal étroit?k - Paramètre empirique?x_dm - Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat?W_c - Largeur de canal?C_oxide - Capacité d'oxyde par unité de surface?N_A - Concentration d'accepteur?Φ_s - Potentiel des surfaces?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?

Exemple Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Fabrication VLSI » fx Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

Premier pas Considérez la formule

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

L'étape suivante Évaluer

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit

La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET.

Symbole: ΔV_T0(nc)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil supplémentaire à canal étroit

Paramètre empirique

Un paramètre empirique est une constante ou une valeur utilisée dans un modèle, une équation ou une théorie qui est dérivée de l'expérience et de l'observation plutôt que déduite théoriquement.

Symbole: k

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Paramètre empirique

Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat

L'épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat fait référence à la profondeur de la région d'épuisement dans le substrat (en vrac) du MOSFET.

Symbole: x_dm

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat

Largeur de canal

La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.

Symbole: W_c

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Largeur de canal

Capacité d'oxyde par unité de surface

La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.

Symbole: C_oxide

La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surfaceUnité: μF/cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité d'oxyde par unité de surface

Concentration d'accepteur

La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.

Symbole: N_A

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration d'accepteur

Potentiel des surfaces

Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.

Symbole: Φ_s

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Potentiel des surfaces

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Permittivité du vide

La permittivité du vide est une constante physique fondamentale qui décrit la capacité du vide à permettre la transmission de lignes de champ électrique.

Symbole: [Permitivity-vacuum]

Valeur: 8.85E-12 F/m

Permittivité du silicium

La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.

Symbole: [Permitivity-silicon]

Valeur: 11.7

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

abs

La valeur absolue d'un nombre correspond à sa distance par rapport à zéro sur la droite numérique. Il s'agit toujours d'une valeur positive, car elle représente la grandeur d'un nombre sans tenir compte de sa direction.

Syntaxe: abs(Number)

Autres formules dans la catégorie Optimisation des matériaux VLSI

va Coefficient d'effet corporel

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Charge de canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

L'évaluateur Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI utilise Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Paramètre empirique*Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat)/(Largeur de canal*Capacité d'oxyde par unité de surface))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentration d'accepteur*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potentiel des surfaces))) pour évaluer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit, La formule VLSI de tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET. Tension de seuil supplémentaire à canal étroit est désigné par le symbole ΔV_T0(nc).

Comment évaluer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI, saisissez Paramètre empirique (k), Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat (x_dm), Largeur de canal (W_c), Capacité d'oxyde par unité de surface (C_oxide), Concentration d'accepteur (N_A) & Potentiel des surfaces (Φ_s) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Quelle est la formule pour trouver Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

La formule de Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI est exprimée sous la forme Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Paramètre empirique*Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat)/(Largeur de canal*Capacité d'oxyde par unité de surface))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentration d'accepteur*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potentiel des surfaces))). Voici un exemple : 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).

Comment calculer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

Avec Paramètre empirique (k), Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat (x_dm), Largeur de canal (W_c), Capacité d'oxyde par unité de surface (C_oxide), Concentration d'accepteur (N_A) & Potentiel des surfaces (Φ_s), nous pouvons trouver Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI en utilisant la formule - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Paramètre empirique*Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat)/(Largeur de canal*Capacité d'oxyde par unité de surface))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentration d'accepteur*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potentiel des surfaces))). Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du vide, Permittivité du silicium constante(s) et , Racine carrée (sqrt), Absolu (abs).

Le Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI peut-il être négatif ?

Non, le Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité

Formule Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Exemple Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Solution

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Formule Éléments

Autres formules dans la catégorie Optimisation des matériaux VLSI

Comment évaluer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

FAQs sur Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Variable Name