Formule Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

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La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET. Vérifiez FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Tension de seuil supplémentaire à canal étroit?k - Paramètre empirique?x_dm - Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat?W_c - Largeur de canal?C_oxide - Capacité d'oxyde par unité de surface?N_A - Concentration d'accepteur?Φ_s - Potentiel des surfaces?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?

Exemple Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon () ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI ?

Premier pas Considérez la formule

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

L'étape suivante Évaluer

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Tension de seuil supplémentaire à canal étroit

La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET.

Symbole: ΔV_T0(nc)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V