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Formule Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1

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La tension de saturation 1 du transistor 1, c'est-à-dire Q1, est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur lorsque les jonctions base-émetteur et base-collecteur sont polarisées en direct. Vérifiez FAQs
VCEsat1=Vcc-Vmax
VCEsat1 - Tension de saturation 1?Vcc - Tension d'alimentation?Vmax - Tension maximale?

Exemple Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1.

4.01Edit=7.52Edit-3.51Edit
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HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Amplificateurs » fx Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1

Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 ?

Premier pas Considérez la formule
VCEsat1=Vcc-Vmax
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ VCEsat1=7.52V-3.51V
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ VCEsat1=7.52-3.51
Dernière étape Évaluer
∴VCEsat1=4.01V

Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 Formule Éléments

Variables
Tension de saturation 1
La tension de saturation 1 du transistor 1, c'est-à-dire Q1, est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur lorsque les jonctions base-émetteur et base-collecteur sont polarisées en direct.
Symbole: VCEsat1
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension de saturation 1Open Variable
Tension d'alimentation
La tension d'alimentation est également définie comme la tension de polarisation appliquée à l'ampli opérationnel pour la broche Q2 (transistor 2). Elle est également définie comme étant la tension au collecteur.
Symbole: Vcc
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension d'alimentationOpen Variable
Tension maximale
La tension maximale dans un amplificateur fait référence au niveau de tension le plus élevé que l'amplificateur peut gérer sans endommager ses composants internes.
Symbole: Vmax
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension maximaleOpen Variable

Autres formules dans la catégorie Etage de sortie de classe A

​va Tension de charge
VL=Vin-Vbe
​va Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 2
VCEsat2=Vmin+Vcc
​va Courant de polarisation de l'émetteur suiveur
Ib=modu̲s(-Vcc)+VCEsat2RL
​va Dissipation de puissance instantanée de l'émetteur-suiveur
PI=Vce⋅Ic

Comment évaluer Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 ?

L'évaluateur Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 utilise Saturation Voltage 1 = Tension d'alimentation-Tension maximale pour évaluer Tension de saturation 1, La formule de tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 correspond aux bornes du collecteur et de l'émetteur dans des conditions de courant de base ou de tension base-émetteur au-delà desquelles le courant du collecteur reste essentiellement constant à mesure que le courant ou la tension de base diminue. Tension de saturation 1 est désigné par le symbole VCEsat1.

Comment évaluer Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1, saisissez Tension d'alimentation (Vcc) & Tension maximale (Vmax) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1

Quelle est la formule pour trouver Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 ?
La formule de Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 est exprimée sous la forme Saturation Voltage 1 = Tension d'alimentation-Tension maximale. Voici un exemple : 4.01 = 7.52-3.51.
Comment calculer Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 ?
Avec Tension d'alimentation (Vcc) & Tension maximale (Vmax), nous pouvons trouver Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 en utilisant la formule - Saturation Voltage 1 = Tension d'alimentation-Tension maximale.
Le Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 peut-il être négatif ?
Non, le Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 ?
Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de saturation entre collecteur-émetteur au transistor 1 peut être mesuré.
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