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Formule Tension de saturation du MOSFET

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La tension de saturation de drain et de source est la tension à laquelle le FET ne peut plus fonctionner en tant qu'amplificateur, et sa tension de sortie se fixe à une valeur maximale. Vérifiez FAQs

V ds(s) = V gs - V th

V_ds(s) - Tension de saturation du drain et de la source?V_gs - Tension grille-source?V_th - Tension de seuil?

Exemple Tension de saturation du MOSFET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de saturation du MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de saturation du MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de saturation du MOSFET.

1.7 = 4 - 2.3

1.7V = 4V - 2.3V

1.7 = 4 - 2.3

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Tension de saturation du MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de saturation du MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule

V ds(s) = V gs - V th

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V ds(s) = 4V - 2.3V

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V ds(s) = 4 - 2.3

Dernière étape Évaluer

∴

V ds(s) = 1.7V

Tension de saturation du MOSFET Formule Éléments

Variables

Tension de saturation du drain et de la source

La tension de saturation de drain et de source est la tension à laquelle le FET ne peut plus fonctionner en tant qu'amplificateur, et sa tension de sortie se fixe à une valeur maximale.

Symbole: V_ds(s)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de saturation du drain et de la source

Tension grille-source

La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension grille-source

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_th

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

Autres formules dans la catégorie Tension

va Gain de tension maximal au point de polarisation

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

va Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

va Gain de tension donné Tension de drain

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

va Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Tension de saturation du MOSFET ?

L'évaluateur Tension de saturation du MOSFET utilise Drain and Source Saturation Voltage = Tension grille-source-Tension de seuil pour évaluer Tension de saturation du drain et de la source, La tension de saturation du MOSFET est égale à la tension effective ou à la tension de surmultiplication du MOSFET. Il est également égal à la différence de tension aux bornes de l'oxyde et de la tension de seuil. Tension de saturation du drain et de la source est désigné par le symbole V_ds(s).

Comment évaluer Tension de saturation du MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de saturation du MOSFET, saisissez Tension grille-source (V_gs) & Tension de seuil (V_th) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension de saturation du MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Tension de saturation du MOSFET ?

La formule de Tension de saturation du MOSFET est exprimée sous la forme Drain and Source Saturation Voltage = Tension grille-source-Tension de seuil. Voici un exemple : 1.7 = 4-2.3.

Comment calculer Tension de saturation du MOSFET ?

Avec Tension grille-source (V_gs) & Tension de seuil (V_th), nous pouvons trouver Tension de saturation du MOSFET en utilisant la formule - Drain and Source Saturation Voltage = Tension grille-source-Tension de seuil.

Le Tension de saturation du MOSFET peut-il être négatif ?

Non, le Tension de saturation du MOSFET, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de saturation du MOSFET ?

Tension de saturation du MOSFET est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de saturation du MOSFET peut être mesuré.

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