L'évaluateur Tension de rupture de l'émetteur collecteur utilise Collector Emitter Breakout Voltage = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine) pour évaluer Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur, La tension de rupture de l'émetteur collecteur est un paramètre critique dans les transistors à jonction bipolaire (BJT). Elle représente la tension maximale qui peut être appliquée entre les bornes collecteur et émetteur du transistor sans provoquer de claquage ou d'effet d'avalanche. Il s'agit d'une spécification importante pour garantir le fonctionnement correct et sûr du transistor. Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est désigné par le symbole Vce.
Comment évaluer Tension de rupture de l'émetteur collecteur à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de rupture de l'émetteur collecteur, saisissez Tension de rupture de la base du collecteur (Vcb), Gain actuel du BJT (ig) & Numéro racine (n) et appuyez sur le bouton Calculer.