Formule Tension de rupture de l'émetteur collecteur

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La tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor. Vérifiez FAQs
Vce=Vcb(ig)1n
Vce - Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur?Vcb - Tension de rupture de la base du collecteur?ig - Gain actuel du BJT?n - Numéro racine?

Exemple Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de rupture de l'émetteur collecteur avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de rupture de l'émetteur collecteur avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension de rupture de l'émetteur collecteur.

2.1036Edit=3.52Edit(2.8Edit)12Edit
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Tension de rupture de l'émetteur collecteur Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension de rupture de l'émetteur collecteur ?

Premier pas Considérez la formule
Vce=Vcb(ig)1n
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Vce=3.52V(2.8V)12
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Vce=3.52(2.8)12
L'étape suivante Évaluer
Vce=2.10360235242853V
Dernière étape Réponse arrondie
Vce=2.1036V

Tension de rupture de l'émetteur collecteur Formule Éléments

Variables
Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur
La tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.
Symbole: Vce
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de rupture de la base du collecteur
La tension de rupture de base du collecteur est la tension maximale entre les bornes du collecteur et de la base d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.
Symbole: Vcb
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Gain actuel du BJT
Le gain de courant du BJT est utilisé pour décrire les propriétés d'amplification du transistor. Il indique dans quelle mesure le courant du collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Symbole: ig
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Numéro racine
Le numéro racine représente une constante ou un facteur associé au transistor.
Symbole: n
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés bipolaires

​va Impureté à concentration intrinsèque
ni=nepto
​va Conductivité ohmique des impuretés
σ=q(μnne+μpp)
​va Conductivité de type N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))
​va Conductivité de type P
σ=q(μn(ni2Na)+μpNa)

Comment évaluer Tension de rupture de l'émetteur collecteur ?

L'évaluateur Tension de rupture de l'émetteur collecteur utilise Collector Emitter Breakout Voltage = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine) pour évaluer Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur, La tension de rupture de l'émetteur collecteur est un paramètre critique dans les transistors à jonction bipolaire (BJT). Elle représente la tension maximale qui peut être appliquée entre les bornes collecteur et émetteur du transistor sans provoquer de claquage ou d'effet d'avalanche. Il s'agit d'une spécification importante pour garantir le fonctionnement correct et sûr du transistor. Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est désigné par le symbole Vce.

Comment évaluer Tension de rupture de l'émetteur collecteur à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension de rupture de l'émetteur collecteur, saisissez Tension de rupture de la base du collecteur (Vcb), Gain actuel du BJT (ig) & Numéro racine (n) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Quelle est la formule pour trouver Tension de rupture de l'émetteur collecteur ?
La formule de Tension de rupture de l'émetteur collecteur est exprimée sous la forme Collector Emitter Breakout Voltage = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine). Voici un exemple : 2.103602 = 3.52/(2.8)^(1/2).
Comment calculer Tension de rupture de l'émetteur collecteur ?
Avec Tension de rupture de la base du collecteur (Vcb), Gain actuel du BJT (ig) & Numéro racine (n), nous pouvons trouver Tension de rupture de l'émetteur collecteur en utilisant la formule - Collector Emitter Breakout Voltage = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine).
Le Tension de rupture de l'émetteur collecteur peut-il être négatif ?
Non, le Tension de rupture de l'émetteur collecteur, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de rupture de l'émetteur collecteur ?
Tension de rupture de l'émetteur collecteur est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de rupture de l'émetteur collecteur peut être mesuré.
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