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Formule Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

vaTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

vaTension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Formule

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La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif. Vérifiez FAQs

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

V_gs - Tension grille-source?I_in - Courant d'entrée?ω - Fréquence angulaire?C_sg - Capacité de la porte source?C_gd - Capacité de vidange de porte?

Exemple Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée.

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

3.9978V = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Électronique analogique » fx Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée ?

Premier pas Considérez la formule

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V gs = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

V gs = \frac{0.002A}{33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V gs = \frac{0.002}{33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

L'étape suivante Évaluer

∴

V gs = 3.99776125369793V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

V gs = 3.9978V

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Formule Éléments

Variables

Tension grille-source

La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension grille-source

Courant d'entrée

Le courant d'entrée peut faire référence au courant électrique qui circule dans un appareil ou un circuit électrique. Ce courant peut être alternatif ou continu selon l'appareil et la source d'alimentation.

Symbole: I_in

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Courant d'entrée

Fréquence angulaire

La fréquence angulaire de l'onde fait référence au déplacement angulaire par unité de temps. C'est une mesure scalaire du taux de rotation.

Symbole: ω

La mesure: Fréquence angulaireUnité: rad/s

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Fréquence angulaire

Capacité de la porte source

La capacité de grille source est une mesure de la capacité entre les électrodes de source et de grille dans un transistor à effet de champ (FET).

Symbole: C_sg

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité de la porte source

Capacité de vidange de porte

La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).

Symbole: C_gd

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité de vidange de porte

Autres formules pour trouver Tension grille-source

va Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

va Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

Autres formules dans la catégorie Tension

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée ?

L'évaluateur Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée utilise Gate-Source Voltage = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte)) pour évaluer Tension grille-source, La tension entre la grille et la source du MOSFET étant donné la formule de courant d'entrée est définie comme la tension entre la grille et la source qui est nécessaire pour allumer le MOSFET. en d'autres termes, si elle est au moins aussi élevée que la tension de seuil, le MOSFET s'allume. Tension grille-source est désigné par le symbole V_gs.

Comment évaluer Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée, saisissez Courant d'entrée (I_in), Fréquence angulaire (ω), Capacité de la porte source (C_sg) & Capacité de vidange de porte (C_gd) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Quelle est la formule pour trouver Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée ?

La formule de Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée est exprimée sous la forme Gate-Source Voltage = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte)). Voici un exemple : 3.997761 = 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06)).

Comment calculer Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée ?

Avec Courant d'entrée (I_in), Fréquence angulaire (ω), Capacité de la porte source (C_sg) & Capacité de vidange de porte (C_gd), nous pouvons trouver Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée en utilisant la formule - Gate-Source Voltage = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte)).

Quelles sont les autres façons de calculer Tension grille-source ?

Voici les différentes façons de calculer Tension grille-source-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+sqrt((2*DC Bias Current)/(Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio))
Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage

Le Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée peut-il être négatif ?

Non, le Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée ?

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée peut être mesuré.

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: Valeur
: Unité

Formule Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

​vaTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

​vaTension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Formule

Exemple Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Solution

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Formule Éléments

Autres formules pour trouver Tension grille-source

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Comment évaluer Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée ?

FAQs sur Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

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vaTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

vaTension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Formule