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Formule Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

vaTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

vaTension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Formule

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La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif. Vérifiez FAQs

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

V_gs - Tension grille-source?V_th - Tension de seuil?V_eff - Tension efficace?

Exemple Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge.

4.68 = 2.3 + 1.4 \cdot 1.7

4.68V = 2.3V + 1.4 \cdot 1.7V

4.68 = 2.3 + 1.4 \cdot 1.7

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Électronique analogique » fx Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge ?

Premier pas Considérez la formule

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V gs = 2.3V + 1.4 \cdot 1.7V

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V gs = 2.3 + 1.4 \cdot 1.7

Dernière étape Évaluer

∴

V gs = 4.68V

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Formule Éléments

Variables

Tension grille-source

La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension grille-source

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_th

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

Tension efficace

La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

Symbole: V_eff

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension efficace

Autres formules pour trouver Tension grille-source

va Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

va Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Autres formules dans la catégorie Tension

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

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Comment évaluer Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge ?

L'évaluateur Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge utilise Gate-Source Voltage = Tension de seuil+1.4*Tension efficace pour évaluer Tension grille-source, La tension aux bornes de la grille à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle étant donnée la formule de tension de surcharge est définie comme la tension qui tombe sur la borne grille-source du transistor, cela signifie qu'en connectant leurs bornes à un circuit, ils conduiront normalement le courant à travers le drain à la source, sans aucune tension fournie à la base. Tension grille-source est désigné par le symbole V_gs.

Comment évaluer Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge, saisissez Tension de seuil (V_th) & Tension efficace (V_eff) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Quelle est la formule pour trouver Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge ?

La formule de Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge est exprimée sous la forme Gate-Source Voltage = Tension de seuil+1.4*Tension efficace. Voici un exemple : 4.68 = 2.3+1.4*1.7.

Comment calculer Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge ?

Avec Tension de seuil (V_th) & Tension efficace (V_eff), nous pouvons trouver Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge en utilisant la formule - Gate-Source Voltage = Tension de seuil+1.4*Tension efficace.

Quelles sont les autres façons de calculer Tension grille-source ?

Voici les différentes façons de calculer Tension grille-source-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+sqrt((2*DC Bias Current)/(Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio))
Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))

Le Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge peut-il être négatif ?

Non, le Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge ?

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge peut être mesuré.

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Formule Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

​vaTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

​vaTension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Formule

Exemple Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Solution

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge Formule Éléments

Autres formules pour trouver Tension grille-source

Autres formules dans la catégorie Tension

Comment évaluer Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge ?

FAQs sur Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

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vaTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

vaTension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée Formule