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La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif. Vérifiez FAQs
Vgs=Vth+2Ibk'nWL
Vgs - Tension grille-source?Vth - Tension de seuil?Ib - Courant de polarisation CC?k'n - Paramètre de transconductance de processus?WL - Ratio d'aspect?

Exemple Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle.

5.3628Edit=2.3Edit+2985Edit2.1Edit0.1Edit
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Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle ?

Premier pas Considérez la formule
Vgs=Vth+2Ibk'nWL
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Vgs=2.3V+2985mA2.1A/V²0.1
L'étape suivante Convertir des unités
Vgs=2.3V+20.985A2.1A/V²0.1
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Vgs=2.3+20.9852.10.1
L'étape suivante Évaluer
Vgs=5.36283404397829V
Dernière étape Réponse arrondie
Vgs=5.3628V

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Tension grille-source
La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Symbole: Vgs
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de seuil
La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Symbole: Vth
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Courant de polarisation CC
Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.
Symbole: Ib
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Paramètre de transconductance de processus
Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Symbole: k'n
La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: A/V²
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Ratio d'aspect
Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Symbole: WL
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur peut être positive ou négative.
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules pour trouver Tension grille-source

​va Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge
Vgs=Vth+1.4Veff
​va Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée
Vgs=Iinω(Csg+Cgd)

Autres formules dans la catégorie Tension

​va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET
vo1=-(RoutIt)
​va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET
vo2=-(RoutIt)
​va Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun
vo1=-RoutgmVcin1+(2gmRout)
​va Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun
vo2=-(Rout(1gm)+2Rout)Vcin

Comment évaluer Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle ?

L'évaluateur Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle utilise Gate-Source Voltage = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect)) pour évaluer Tension grille-source, La tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec la formule de tension d'entrée différentielle est définie comme la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor. Cela signifie qu'en connectant leurs bornes à un circuit, ils conduiront normalement le courant entre le drain et la source, sans aucune tension fournie à la base. Tension grille-source est désigné par le symbole Vgs.

Comment évaluer Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle, saisissez Tension de seuil (Vth), Courant de polarisation CC (Ib), Paramètre de transconductance de processus (k'n) & Ratio d'aspect (WL) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Quelle est la formule pour trouver Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle ?
La formule de Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle est exprimée sous la forme Gate-Source Voltage = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect)). Voici un exemple : 5.362834 = 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1)).
Comment calculer Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle ?
Avec Tension de seuil (Vth), Courant de polarisation CC (Ib), Paramètre de transconductance de processus (k'n) & Ratio d'aspect (WL), nous pouvons trouver Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle en utilisant la formule - Gate-Source Voltage = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).
Quelles sont les autres façons de calculer Tension grille-source ?
Voici les différentes façons de calculer Tension grille-source-
  • Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective VoltageOpenImg
  • Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))OpenImg
Le Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle peut-il être négatif ?
Non, le Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle ?
Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle peut être mesuré.
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