Formule Temps de saturation

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Le temps de saturation est le temps nécessaire à la tension de sortie d'un MOSFET pour atteindre un niveau spécifié (V Vérifiez FAQs
Tsat=-2Cloadkn(VOH-VT)2(1,x,VOH,VOH-VT)
Tsat - Temps de saturation?Cload - Capacité de charge?kn - Paramètre de processus de transconductance?VOH - Tension de sortie élevée?VT - Tension de seuil?

Exemple Temps de saturation

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Temps de saturation avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Temps de saturation avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Temps de saturation.

5.6381Edit=-29.77Edit4.553Edit(3.789Edit-5.91Edit)2(1,x,3.789Edit,3.789Edit-5.91Edit)
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Temps de saturation Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Temps de saturation ?

Premier pas Considérez la formule
Tsat=-2Cloadkn(VOH-VT)2(1,x,VOH,VOH-VT)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Tsat=-29.77F4.553A/V²(3.789V-5.91V)2(1,x,3.789V,3.789V-5.91V)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Tsat=-29.774.553(3.789-5.91)2(1,x,3.789,3.789-5.91)
L'étape suivante Évaluer
Tsat=5.63810361511811s
Dernière étape Réponse arrondie
Tsat=5.6381s

Temps de saturation Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Temps de saturation
Le temps de saturation est le temps nécessaire à la tension de sortie d'un MOSFET pour atteindre un niveau spécifié (V
Symbole: Tsat
La mesure: TempsUnité: s
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Capacité de charge
La capacité de charge est la capacité totale connectée à la borne de sortie du transistor, y compris les composants externes et la propre capacité parasite du MOSFET.
Symbole: Cload
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Paramètre de processus de transconductance
Le paramètre de processus de transconductance est une constante spécifique à l'appareil qui caractérise la capacité du transistor à convertir une modification de la tension de grille en une modification du courant de sortie.
Symbole: kn
La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: A/V²
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Tension de sortie élevée
La tension de sortie élevée est le niveau de tension maximum que le transistor peut atteindre à sa borne de sortie lorsqu'il est complètement activé (fonctionnant en saturation).
Symbole: VOH
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Tension de seuil
La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.
Symbole: VT
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
int
L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer l'aire nette signée, qui est l'aire au-dessus de l'axe des x moins l'aire en dessous de l'axe des x.
Syntaxe: int(expr, arg, from, to)

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

​va Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Cjsw=Cj0swxj
​va Capacité équivalente à grande jonction de signal
Ceq(sw)=PCjswKeq(sw)
​va Potentiel de Fermi pour le type P
ΦFp=[BoltZ]Ta[Charge-e]ln(niNA)
​va Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Keq(sw)=-(2ΦoswV2-V1(Φosw-V2-Φosw-V1))

Comment évaluer Temps de saturation ?

L'évaluateur Temps de saturation utilise Saturation Time = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil) pour évaluer Temps de saturation, La formule du temps de saturation est définie comme le temps nécessaire à la tension de sortie d'un MOSFET pour atteindre un niveau spécifié (V. Temps de saturation est désigné par le symbole Tsat.

Comment évaluer Temps de saturation à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Temps de saturation, saisissez Capacité de charge (Cload), Paramètre de processus de transconductance (kn), Tension de sortie élevée (VOH) & Tension de seuil (VT) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Temps de saturation

Quelle est la formule pour trouver Temps de saturation ?
La formule de Temps de saturation est exprimée sous la forme Saturation Time = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil). Voici un exemple : 5.638104 = -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91).
Comment calculer Temps de saturation ?
Avec Capacité de charge (Cload), Paramètre de processus de transconductance (kn), Tension de sortie élevée (VOH) & Tension de seuil (VT), nous pouvons trouver Temps de saturation en utilisant la formule - Saturation Time = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil). Cette formule utilise également la ou les fonctions Intégrale définie (int).
Le Temps de saturation peut-il être négatif ?
Oui, le Temps de saturation, mesuré dans Temps peut, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Temps de saturation ?
Temps de saturation est généralement mesuré à l'aide de Deuxième[s] pour Temps. milliseconde[s], Microseconde[s], Nanoseconde[s] sont les quelques autres unités dans lesquelles Temps de saturation peut être mesuré.
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