Formule Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse

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Le temps de transition de haut en bas de la sortie fait référence à la durée nécessaire à un signal à la borne de sortie d'un appareil ou d'un circuit pour passer d'un niveau de tension élevé à un niveau de tension faible. Vérifiez FAQs
ζPHL=(CloadKn(VDD-VT,n))((2VT,nVDD-VT,n)+ln((4VDD-VT,nVDD)-1))
ζPHL - Temps de transition de haut en bas de la sortie?Cload - Capacité de charge CMOS de l'onduleur?Kn - Transconductance du NMOS?VDD - Tension d'alimentation?VT,n - Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle?

Exemple Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse.

0.0025Edit=(0.93Edit200Edit(3.3Edit-0.8Edit))((20.8Edit3.3Edit-0.8Edit)+ln((43.3Edit-0.8Edit3.3Edit)-1))
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Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse ?

Premier pas Considérez la formule
ζPHL=(CloadKn(VDD-VT,n))((2VT,nVDD-VT,n)+ln((4VDD-VT,nVDD)-1))
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
ζPHL=(0.93fF200µA/V²(3.3V-0.8V))((20.8V3.3V-0.8V)+ln((43.3V-0.8V3.3V)-1))
L'étape suivante Convertir des unités
ζPHL=(9.3E-16F0.0002A/V²(3.3V-0.8V))((20.8V3.3V-0.8V)+ln((43.3V-0.8V3.3V)-1))
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
ζPHL=(9.3E-160.0002(3.3-0.8))((20.83.3-0.8)+ln((43.3-0.83.3)-1))
L'étape suivante Évaluer
ζPHL=2.50762420773954E-12s
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
ζPHL=0.00250762420773954ns
Dernière étape Réponse arrondie
ζPHL=0.0025ns

Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Temps de transition de haut en bas de la sortie
Le temps de transition de haut en bas de la sortie fait référence à la durée nécessaire à un signal à la borne de sortie d'un appareil ou d'un circuit pour passer d'un niveau de tension élevé à un niveau de tension faible.
Symbole: ζPHL
La mesure: TempsUnité: ns
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Capacité de charge CMOS de l'onduleur
La capacité de charge CMOS de l'onduleur est la capacité pilotée par la sortie d'un onduleur CMOS, y compris le câblage, les capacités d'entrée des portes connectées et les capacités parasites.
Symbole: Cload
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Transconductance du NMOS
La transconductance du NMOS fait référence au rapport entre la variation du courant de drain de sortie et la variation de la tension grille-source d'entrée lorsque la tension drain-source est constante.
Symbole: Kn
La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: µA/V²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension d'alimentation
La tension d'alimentation fait référence au niveau de tension fourni par une source d'alimentation à un circuit ou un appareil électrique, servant de différence de potentiel pour le flux et le fonctionnement du courant.
Symbole: VDD
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
La tension de seuil du NMOS avec polarisation du corps fait référence à la tension d'entrée minimale requise pour commuter un transistor NMOS lorsqu'une tension de polarisation supplémentaire est appliquée au substrat (corps).
Symbole: VT,n
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
ln
Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle.
Syntaxe: ln(Number)

Autres formules dans la catégorie Onduleurs CMOS

​va Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
NMH=VOH-VIH
​va Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
VIL(sym)=3VDD+2VT0,n8
​va Tension de seuil CMOS
Vth=VT0,n+1Kr(VDD+(VT0,p))1+1Kr
​va Tension d'entrée maximale CMOS
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Comment évaluer Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse ?

L'évaluateur Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse utilise Time for High to Low Transition of Output = (Capacité de charge CMOS de l'onduleur/(Transconductance du NMOS*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)))*((2*Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle/(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle))+ln((4*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)/Tension d'alimentation)-1)) pour évaluer Temps de transition de haut en bas de la sortie, Le délai de propagation pour la transition de sortie haute à basse CMOS fait référence au temps nécessaire à un signal à la borne de sortie d'un dispositif CMOS pour passer d'un niveau de tension élevé à un niveau de tension faible. Cela inclut les retards causés par les portes logiques, les interconnexions et les capacités parasites. Temps de transition de haut en bas de la sortie est désigné par le symbole ζPHL.

Comment évaluer Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse, saisissez Capacité de charge CMOS de l'onduleur (Cload), Transconductance du NMOS (Kn), Tension d'alimentation (VDD) & Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle (VT,n) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse

Quelle est la formule pour trouver Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse ?
La formule de Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse est exprimée sous la forme Time for High to Low Transition of Output = (Capacité de charge CMOS de l'onduleur/(Transconductance du NMOS*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)))*((2*Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle/(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle))+ln((4*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)/Tension d'alimentation)-1)). Voici un exemple : 2.3E+6 = (9.3E-16/(0.0002*(3.3-0.8)))*((2*0.8/(3.3-0.8))+ln((4*(3.3-0.8)/3.3)-1)).
Comment calculer Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse ?
Avec Capacité de charge CMOS de l'onduleur (Cload), Transconductance du NMOS (Kn), Tension d'alimentation (VDD) & Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle (VT,n), nous pouvons trouver Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse en utilisant la formule - Time for High to Low Transition of Output = (Capacité de charge CMOS de l'onduleur/(Transconductance du NMOS*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)))*((2*Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle/(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle))+ln((4*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)/Tension d'alimentation)-1)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Logarithme naturel (ln).
Le Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse peut-il être négatif ?
Non, le Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse, mesuré dans Temps ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse ?
Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse est généralement mesuré à l'aide de Nanoseconde[ns] pour Temps. Deuxième[ns], milliseconde[ns], Microseconde[ns] sont les quelques autres unités dans lesquelles Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse peut être mesuré.
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