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Formule Réduisez le courant dans la région de saturation

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Le courant de rappel de la région de saturation est le courant traversant la résistance lorsqu'une résistance de rappel est utilisée avec un MOSFET à canal N en mode saturation. Vérifiez FAQs
ID(sat)=∑(x,0,n,(μn⋅Cox2)⋅(WL)⋅(VGS-VT)2)
ID(sat) - Courant de réduction de la région de saturation?n - Nombre de transistors à pilote parallèle?μn - Mobilité électronique?Cox - Capacité d'oxyde?W - Largeur de canal?L - Longueur du canal?VGS - Tension de source de porte?VT - Tension de seuil?

Exemple Réduisez le courant dans la région de saturation

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Réduisez le courant dans la région de saturation avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Réduisez le courant dans la région de saturation avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Réduisez le courant dans la région de saturation.

101550.1189Edit=∑(x,0,11Edit,(9.92Edit⋅3.9Edit2)⋅(2.678Edit3.45Edit)⋅(29.65Edit-5.91Edit)2)
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Réduisez le courant dans la région de saturation Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Réduisez le courant dans la région de saturation ?

Premier pas Considérez la formule
ID(sat)=∑(x,0,n,(μn⋅Cox2)⋅(WL)⋅(VGS-VT)2)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ ID(sat)=∑(x,0,11,(9.92m²/V*s⋅3.9F2)⋅(2.678m3.45m)⋅(29.65V-5.91V)2)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ ID(sat)=∑(x,0,11,(9.92⋅3.92)⋅(2.6783.45)⋅(29.65-5.91)2)
L'étape suivante Évaluer
∴ID(sat)=101550.118939559A
Dernière étape Réponse arrondie
∴ID(sat)=101550.1189A

Réduisez le courant dans la région de saturation Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Courant de réduction de la région de saturation
Le courant de rappel de la région de saturation est le courant traversant la résistance lorsqu'une résistance de rappel est utilisée avec un MOSFET à canal N en mode saturation.
Symbole: ID(sat)
La mesure: Courant électriqueUnité: A
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Courant de réduction de la région de saturationOpen Variable
Nombre de transistors à pilote parallèle
Le nombre de transistors pilotes parallèles fait référence au nombre de transistors pilotes parallèles dans le circuit.
Symbole: n
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Nombre de transistors à pilote parallèleOpen Variable
Mobilité électronique
La mobilité électronique dans le MOSFET décrit la facilité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le canal, affectant directement le flux de courant pour une tension donnée.
Symbole: μn
La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Mobilité électroniqueOpen Variable
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité d'oxydeOpen Variable
Largeur de canal
La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.
Symbole: W
La mesure: LongueurUnité: m
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Largeur de canalOpen Variable
Longueur du canal
La longueur du canal dans un MOSFET est la distance entre les régions de source et de drain, déterminant la facilité avec laquelle le courant circule et ayant un impact sur les performances du transistor.
Symbole: L
La mesure: LongueurUnité: m
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Longueur du canalOpen Variable
Tension de source de porte
La tension de source de grille est la tension appliquée entre les bornes de grille et de source d'un MOSFET.
Symbole: VGS
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Tension de source de porteOpen Variable
Tension de seuil
La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.
Symbole: VT
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Tension de seuilOpen Variable
sum
La notation de sommation ou sigma (∑) est une méthode utilisée pour écrire une longue somme de manière concise.
Syntaxe: sum(i, from, to, expr)

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

​va Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Cjsw=Cj0sw⋅xj
​va Capacité équivalente à grande jonction de signal
Ceq(sw)=P⋅Cjsw⋅Keq(sw)

Comment évaluer Réduisez le courant dans la région de saturation ?

L'évaluateur Réduisez le courant dans la région de saturation utilise Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2) pour évaluer Courant de réduction de la région de saturation, La formule du courant de rappel dans la région de saturation est définie comme le courant traversant la résistance lorsqu'une résistance de rappel est utilisée avec un MOSFET à canal N en mode saturation. Courant de réduction de la région de saturation est désigné par le symbole ID(sat).

Comment évaluer Réduisez le courant dans la région de saturation à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Réduisez le courant dans la région de saturation, saisissez Nombre de transistors à pilote parallèle (n), Mobilité électronique (μn), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur de canal (W), Longueur du canal (L), Tension de source de porte (VGS) & Tension de seuil (VT) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Réduisez le courant dans la région de saturation

Quelle est la formule pour trouver Réduisez le courant dans la région de saturation ?
La formule de Réduisez le courant dans la région de saturation est exprimée sous la forme Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2). Voici un exemple : 101550.1 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2).
Comment calculer Réduisez le courant dans la région de saturation ?
Avec Nombre de transistors à pilote parallèle (n), Mobilité électronique (μn), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur de canal (W), Longueur du canal (L), Tension de source de porte (VGS) & Tension de seuil (VT), nous pouvons trouver Réduisez le courant dans la région de saturation en utilisant la formule - Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2). Cette formule utilise également la ou les fonctions Notation de sommation (somme).
Le Réduisez le courant dans la région de saturation peut-il être négatif ?
Oui, le Réduisez le courant dans la région de saturation, mesuré dans Courant électrique peut, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Réduisez le courant dans la région de saturation ?
Réduisez le courant dans la région de saturation est généralement mesuré à l'aide de Ampère[A] pour Courant électrique. Milliampère[A], Microampère[A], centiampère[A] sont les quelques autres unités dans lesquelles Réduisez le courant dans la région de saturation peut être mesuré.
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